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龙图腾网恭喜横店集团东磁股份有限公司申请的专利一种低高度差背抛光隔离区结构TBC电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170681B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411639238.9，技术领域涉及：H10F77/42；该发明授权一种低高度差背抛光隔离区结构TBC电池及其制备方法是由吴成坤;徐君;任勇;陈德爽设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低高度差背抛光隔离区结构TBC电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种低高度差背抛光隔离区结构TBC电池及其制备方法。本发明TBC电池硅片背面的隔离区表面依次设有AlOx层、高折射率SiNx层和低折射率SiNx层。首先，与常规隔离区表面为金字塔绒面相比，本发明为抛光隔离区结构，可有效增强硅片背面对光的内反射效应，提升电池光学性能；其次，本发明TBC电池中硅片基底的隔离区表面与其两侧的p区、n区表面的高度差较小，几乎齐平，有利于改善载流子在硅片基底的传输性能，同时提高成品电池良率。

本发明授权一种低高度差背抛光隔离区结构TBC电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低高度差背抛光隔离区结构TBC电池的制备方法，其特征在于包括：S1、硅片双面抛光；S2、背面沉积AlOx层、高折射率SiNx层；S3、开槽p区和n区的高折射率SiNx层；S4、碱清洗；S5、背面沉积隧穿氧化层、本征多晶硅层；S6、硼扩散，使本征多晶硅层转为硼扩散层和BSG层；S7、开槽n区和隔离区的BSG层；S8、碱清洗；S9、背面沉积隧穿氧化层、本征多晶硅层；S10、磷扩散，使本征多晶硅层转为磷扩散层和PSG层；S11、开槽p区和隔离区的PSG层；S12、去绕镀；S13、清洗制绒；S14、正面沉积AlOx层；S15、正、背面沉积低折射率SiNx层；S16、丝网印刷，烧结，光注入；所得TBC电池硅片背面为呈交叉指状分布的p区和n区，p区和n区的间隙处为隔离区；p区表面与隔离区表面的高度差≤0.1μm，n区表面与隔离区表面的高度差≤1μm；低折射率SiNx层的折射率低于高折射率SiNx层。

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