恭喜湘潭大学沈茂康获国家专利权
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龙图腾网恭喜湘潭大学申请的专利一种基于人工反铁磁结构的自旋波二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108436B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411236658.2，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种基于人工反铁磁结构的自旋波二极管是由沈茂康;曾得洋;游龙;宋敏设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于人工反铁磁结构的自旋波二极管在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于人工反铁磁结构的自旋波二极管，包括：人工反铁磁结构，包括从上到下依次布设的第一铁磁性材料层、纳米绝缘层、第二铁磁性材料层和重金属层，所述第二铁磁性材料层的两端未被所述第一铁磁性材料层和所述纳米绝缘层覆盖；第一集成共面波导和第二集成共面波导，分别位于所述第二铁磁性材料层的左端上表面和右端上表面，所述第一集成共面波导和第二集成共面波导中的一个用于激发自旋波，另一个用于检测所述自旋波。本发明通过调控层间磁矩相对取向和DM常数可精确调控自旋波的传输特性，实现单向传输性能。
本发明授权一种基于人工反铁磁结构的自旋波二极管在权利要求书中公布了：1.一种基于人工反铁磁结构的自旋波二极管，其特征在于，所述二极管，是由两层铁磁性材料层FM1、FM2，FM1、FM2中间一层纳米绝缘层和底层的重金属层组成的四层结构的人工反铁磁结构，所述二极管包括激发和接收自旋波的集成共面波导CPW1、CPW2，人工反铁磁结构的两端突出的部分作为自旋波的激发端和接收端；顶层铁磁性材料层和纳米绝缘层的长度为3000nm，底层铁磁性材料层和重金属层的长度为3300nm，形成突出的两端，四层结构中每层的宽度为80nm，厚度d为0.6nm，将位于两端突出的上表面上的条状CPW1和CPW2作为自旋波的激发和检测装置；所述二极管通过共面波导激发自旋波，FM2层作为自旋波传输层，由CPW1激发CPW2检测自旋波或由CPW2激发CPW1检测自旋波。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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