买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112652624B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910962134.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由白杰设计研发完成，并于2019-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及存储器制造领域，公开了一种半导体结构和制造方法，包括：提供衬底，衬底包括阵列区以及外围区；在阵列区的衬底中形成第一栅极结构；在外围区的衬底表面形成伪栅极结构；在第一栅极结构上形成电容结构；形成电容结构后，去除外围区的伪栅极结构，形成凹槽；在凹槽中形成第二栅极结构；第二栅极结构包括，第二栅极结构包括依次堆叠设置的高介电常数栅极介质层和金属栅极层。通过将外围区晶体管替换为高介电常数的金属栅极结构，可以降低DRAM外围区功耗；同时由于制造流程上是在形成电容结构后再将外围区的栅极替换为金属栅极结构，能有效防止在形成电容结构时会存在的高温形成过程对外围区晶体管的电学性能造成影响。

本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括阵列区以及外围区；在所述阵列区的所述衬底中形成第一栅极结构；在所述外围区的所述衬底表面形成伪栅极结构；在所述第一栅极结构上形成电容结构；形成所述电容结构后，去除所述外围区的所述伪栅极结构，形成凹槽；在所述凹槽中形成第二栅极结构，所述第二栅极结构包括依次堆叠设置的高介电常数栅极介质层和金属栅极层；所述在所述第一栅极结构上形成电容结构之前，还包括：在所述外围区及所述阵列区顶部表面形成第一层间介质层；在形成所述第一层间介质层之后，在所述第一栅极结构上的所述第一层间介质层上形成所述电容结构；所述电容结构包括：依次堆叠设置的第一电极板、电容介质层以及第二电极板。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。