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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利一种电路及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112234591B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910635766.X，技术领域涉及：H02H9/04；该发明授权一种电路及芯片是由许杞安设计研发完成，并于2019-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电路及芯片在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及静电保护电路设计，公开了一种电路，包括：内部电路、CDM保护单元、以及钳位电路；CDM保护单元包括第一二极管、第二二极管、第一电容、第一电阻模块以及第一NMOS晶体管；第一二极管的负极和正极分别与电源端和第二二极管的负极耦接，第二二极管的正极和负极分别与接地端和第一连接点耦接；第一电容的两端分别与电源端和第一电阻模块耦接，第一电阻模块的另一端与接地端耦接，第一NMOS晶体管的栅极与第一电阻模块以及第一电容的连接端耦接，第一NMOS晶体管的漏极和源极分别与电源端、接地端耦接；第一连接点与输入端电连接，CDM保护单元与内部电路相邻设置。本发明提供的电路及芯片，能够有效实现内部电路的CDM静电保护。

本发明授权一种电路及芯片在权利要求书中公布了：1.一种电路，其特征在于，包括：输入端、电源端、接地端、内部电路、用于给所述内部电路静电保护的CDM保护单元、以及与所述电源端和所述接地端耦接的钳位电路；所述CDM保护单元包括第一二极管、第二二极管、第一电容、第一电阻模块以及第一NMOS晶体管；所述第一二极管的负极与所述电源端耦接，所述第一二极管的正极与所述第二二极管的负极耦接，所述第二二极管的正极与所述接地端耦接，所述第二二极管的负极耦接于第一连接点；所述第一电容的第一端与所述电源端耦接，所述第一电容的第二端与所述第一电阻模块的第一端耦接，所述第一电阻模块的第二端与所述接地端耦接，所述第一NMOS晶体管的栅极与所述第一电阻模块的第一端耦接，所述第一NMOS晶体管的漏极和源极分别与所述电源端、所述接地端耦接；其中，所述第一连接点与所述输入端电连接，所述CDM保护单元与所述内部电路相邻设置；其中，所述第一电阻模块包括第二NMOS晶体管和第一电阻，所述第二NMOS晶体管的栅极经由所述第一电阻耦接至所述电源端，所述第二NMOS晶体管的漏极为所述第一电阻模块的第一端，所述第二NMOS晶体管的源极为所述第一电阻模块的第二端。

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