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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利静电保护电路及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112217186B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910616773.5，技术领域涉及：H02H9/04；该发明授权静电保护电路及芯片是由许杞安设计研发完成，并于2019-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本静电保护电路及芯片在说明书摘要公布了：本公开提供一种静电保护电路，包括：第一静电旁路，包括第一P型晶体管，漏极耦接于第一节点，源极耦接于第一电压，栅极通过第一电阻模块连接于第二电压，第一节点电连接于信号输入引脚；第二静电旁路，包括第一N型晶体管，漏极耦接于第一节点，源极耦接于第二电压，栅极通过第二电阻模块连接于第一电压；输入缓冲电路，至少包括栅极耦接于第二节点的第二N型晶体管和第二P型晶体管；第三P型晶体管，耦接于第一节点、第二节点，控制端耦接于第三节点；控制模块，耦接于第一电压、第二电压、第三节点，用于控制第三P型晶体管在ESD电流产生时关断。本公开实施例可以克服MOS管栅氧化层厚度降低导致的GGNMOS电路保护功能失效问题。

本发明授权静电保护电路及芯片在权利要求书中公布了：1.一种静电保护电路，其特征在于，包括：第一静电旁路，至少包括第一P型晶体管，所述第一P型晶体管的漏极耦接于第一节点，源极耦接于第一电压，栅极通过第一电阻模块连接于第一电压，所述第一节点电连接于信号输入引脚；第二静电旁路，至少包括第一N型晶体管，所述第一N型晶体管的漏极耦接于所述第一节点，源极耦接于第二电压，栅极通过第二电阻模块连接于所述第二电压；输入缓冲电路，至少包括第二N型晶体管和第二P型晶体管，所述第二N型晶体管的栅极和所述第二P型晶体管的栅极耦接于第二节点；第三P型晶体管，第一端耦接于所述第一节点，第二端耦接于所述第二节点，控制端耦接于第三节点；控制模块，第一端耦接于所述第一电压，第二端耦接于所述第二电压，输出端耦接于所述第三节点，用于控制所述第三P型晶体管在ESD电流产生时关断；其中，所述第一电阻模块和所述第二电阻模块用于提供电阻功能。

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