恭喜首尔半导体株式会社竹谷元伸获国家专利权
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龙图腾网恭喜首尔半导体株式会社申请的专利发光装置的制造方法及发光装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111048544B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201911308820.6,技术领域涉及:H10H29/49;该发明授权发光装置的制造方法及发光装置是由竹谷元伸;孙成寿;李宗益;林栽熙;蔡钟炫;洪承植设计研发完成,并于2018-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光装置的制造方法及发光装置在说明书摘要公布了:本公开涉及一种发光装置的制造方法及发光装置。根据本公开的一实施例的发光装置的制造方法包括如下步骤:在第一临时基板上形成氮化镓系半导体层;在所述半导体层上形成电极部而制造发光元件;在所述发光元件上形成保护膜;向所述第一临时基板和所述半导体层之间的界面照射激光;去除所述保护膜;以及利用移送装置而向基板上移送所述发光元件。
本发明授权发光装置的制造方法及发光装置在权利要求书中公布了:1.一种显示装置,包括:面板基板,包括像素区域;以及多个发光元件,布置在所述面板基板的像素区域上;以及凸块,布置在所述面板基板的像素区域上,并电连接于所述多个发光元件,其中,所述多个发光元件中的每个包括:发光结构体,包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层;以及第一电极焊盘和第二电极焊盘,布置在所述发光结构体上,其中,所述凸块电连接于所述发光元件的第一电极焊盘和第二电极焊盘,其中,从所述面板基板的上表面到所述活性层的距离为5微米至10微米。
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