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龙图腾网恭喜弗萨姆材料美国有限责任公司申请的专利用于碳掺杂含硅膜的组合物以及使用所述组合物的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109689928B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201780055135.X，技术领域涉及：C23C16/34；该发明授权用于碳掺杂含硅膜的组合物以及使用所述组合物的方法是由H·钱德拉;雷新建;A·马力卡琼南;金武性设计研发完成，并于2017-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于碳掺杂含硅膜的组合物以及使用所述组合物的方法在说明书摘要公布了：本文公开了一种组合物和在电子器件的制造中使用该组合物的方法。公开了用于沉积低介电常数4.0和高氧灰化抗性的含硅膜例如但不限于碳掺杂氧化硅的化合物、组合物和方法。

本发明授权用于碳掺杂含硅膜的组合物以及使用所述组合物的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于通过热ALD工艺形成具有从15原子％至30原子％范围的碳含量的碳掺杂氧化硅膜的方法，该方法包括：a将包含表面特征的一个或多个衬底放入反应器中；b加热反应器到从环境温度至550℃范围内的温度，并任选地将所述反应器保持在100托或更低的压力下；c将至少一种具有两个Si-C-Si键的硅前体引入所述反应器中，该硅前体选自1-氯-1,3-二硅杂环丁烷、1-溴-1,3-二硅杂环丁烷、1,3-二氯-1,3-二硅杂环丁烷、1,3-二溴-1,3-二硅杂环丁烷、1,1,3-三氯-1,3-二硅杂环丁烷、1,1,3-三溴-1,3-二硅杂环丁烷、1,1,3,3-四氯-1,3-二硅杂环丁烷、1,1,1,3,3,5,5,5-八氯-1,3,5-三硅杂戊烷、1,1,1,3,3,5,5,5-八氯-1,3,5-三硅杂戊烷、1,1,1,3,3,5,5,5-八氯-1,5-二甲基-1,3,5-三硅杂戊烷、1,1,1,5,5,5-六氯-3,3-二甲基-1,3,5-三硅杂戊烷、1,1,3,5,5,5-五氯-1,3,5-三甲基-1,3,5-三硅杂戊烷、1,1,1,5,5,5-六氯-1,3,5-三硅杂戊烷、1,1,5,5-四氯-1,3,5-三硅杂戊烷；d用惰性气体吹扫；e向所述反应器中提供氮源以与所述表面反应形成碳掺杂氮化硅膜；f用惰性气体吹扫以除去反应副产物；g重复步骤c至f，以提供所需厚度的碳掺杂氮化硅；h在从环境温度至1000℃范围内的温度下用氧源处理所得的碳掺杂氮化硅膜，以将所述碳掺杂氮化硅膜转化为碳掺杂氧化硅膜；和i将所述碳掺杂氧化硅膜沉积后暴露于包含氢的等离子体。

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