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龙图腾网获悉宁波芯健半导体有限公司申请的专利一种芯片扇出型封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118692995B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410753783.4，技术领域涉及：H01L23/13；该发明授权一种芯片扇出型封装结构及封装方法是由李春阳;刘凤;任超;方梁洪设计研发完成，并于2024-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片扇出型封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种芯片扇出型封装结构及封装方法，涉及半导体扇出型封装技术的领域，其包括晶圆，所述晶圆上开设有用于定位芯片位置的定位腔；芯片，所述芯片封装于晶圆的一侧，且所述芯片位于定位腔内；电连接装置，所述电连接装置设置于晶圆靠近芯片的一侧，所述电连接装置与芯片电连接；所述晶圆上开设有通气孔，所述通气孔沿晶圆厚度方向延伸，所述通气孔的一端与定位腔互相连通且延伸至芯片，所述晶圆上开设有散热孔，所述通气孔的另一端与散热孔互相联通，所述散热孔沿长度垂直于通气孔，且所述散热孔沿长度方向贯穿晶圆。本申请具有提高芯片封装的散热效果的效果。

本发明授权一种芯片扇出型封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片扇出型封装结构，其特征在于：包括：晶圆1，所述晶圆1上开设有用于定位芯片2位置的定位腔11；芯片2，所述芯片2封装于晶圆1的一侧，且所述芯片2位于定位腔11内；电连接装置3，所述电连接装置3设置于晶圆1靠近芯片2的一侧，所述电连接装置3与芯片2电连接；所述晶圆1上开设有通气孔12，所述通气孔12沿晶圆1厚度方向延伸，所述通气孔12的一端与定位腔11互相连通且延伸至芯片2，所述晶圆1上开设有散热孔13，所述通气孔12的另一端与散热孔13互相联通，所述散热孔13沿长度垂直于通气孔12，且所述散热孔13沿长度方向贯穿晶圆1；所述电连接装置3包括：第一再布线层31，所述第一再布线层31设置于晶圆1靠近芯片2的一侧，且所述第一再布线层31覆盖于晶圆1的表面，所述芯片2与第一再布线层31电连接，所述通气孔12贯穿第一再布线层31；第一电连接块32，所述第一电连接块32电连接于第一再布线层31远离晶圆1的一侧，所述第一电连接块32设置有若干个，所述第一电连接块32位于定位腔11外；塑封体33，所述塑封体33设置于晶圆1靠近芯片2的一侧，所述塑封体33将芯片2和第一再布线层31封装于晶圆1上，所述第一电连接块32凸出于塑封体33；第二再布线层34，所述第二再布线层34设置于塑封体33远离晶圆1的一侧，所述第二再布线层34与第一电连接块32电连接；PI保护层35，所述PI保护层35设置于第二再布线层34远离塑封体33的一侧，所述PI保护层35上开设有用于露出第二再布线层34的电连接孔351；UBM层36，所述UBM层36设置于PI保护层35的电连接孔351处作为互联的键合层；锡球37，所述锡球37电连接于UBM层36远离PI保护层35的一侧，所述锡球37作为芯片2电连接的触点；所述电连接装置3还包括：第二电连接块38，所述第二电连接块38电连接于芯片2靠近第一再布线层31的一侧，所述第一再布线层31上开设有供第二电连接块38电连接的连接孔311，所述连接孔311与通气孔12连通；锡层39，所述锡层39设置于第二电连接块38靠近第一再布线层31的一侧，所述锡层39与第一再布线层31电连接，所述晶圆1上开设有用于形成锡层39的进锡孔15，所述进锡孔15与通气孔12连通。

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