恭喜隆基绿能科技股份有限公司李振国获国家专利权
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龙图腾网恭喜隆基绿能科技股份有限公司申请的专利太阳能电池、组件及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118099246B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410508982.9，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权太阳能电池、组件及系统是由李振国;童洪波;孙恒;谭善;於龙;徐新星;靳玉鹏设计研发完成，并于2024-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池、组件及系统在说明书摘要公布了：本申请公开了一种太阳能电池、组件及系统。所述太阳能电池包括：硅基底，硅基底的第一表面背离所述硅基底层叠设置有隧穿介电层和掺杂多晶硅层；同质结，同质结位于硅基底具有隧穿介电层的一侧，且同质结自硅基底表面向硅基底内部扩散；同质结的掺杂浓度为1×1015cm‑3~5×1018cm‑3，同质结的结深大于等于500nm且小于等于硅基底的厚度。本申请的太阳能电池优化了同质结的掺杂浓度和结深，有利于在降低俄歇复合影响和增加硅基底内载流子提取和分离深度的同时，能够增强掺杂多晶硅层和硅基底之间的浓度差，从而提升异质结硅基底界面的内建电场，进而提高太阳能电池的转化效率。
本发明授权太阳能电池、组件及系统在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：硅基底，所述硅基底的第一表面上背离所述硅基底层叠设置有隧穿介电层和掺杂多晶硅层；同质结，所述同质结位于所述硅基底具有所述隧穿介电层的一侧，且所述同质结自所述硅基底的表面向所述硅基底内部扩散；所述同质结的表面掺杂浓度为1×1015cm-3~5×1018cm-3，所述同质结的结深大于等于500nm且小于等于所述硅基底的厚度；其中，所述同质结的表面掺杂浓度指的是所述同质结位于所述硅基底表面的掺杂浓度，所述同质结的结深指的是所述同质结在所述硅基底内部的掺杂浓度等于所述硅基底本征掺杂浓度所在的深度；位于所述掺杂多晶硅层表面的钝化减反层；以及金属电极，所述金属电极穿过所述钝化减反层与所述掺杂多晶硅层接触。
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