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龙图腾网恭喜华中科技大学申请的专利一种基于温控微量石英天平的铯沉积诊断装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118389998B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410433351.5，技术领域涉及：C23C14/18；该发明授权一种基于温控微量石英天平的铯沉积诊断装置及方法是由左晨;薛枫;陈德智;李冬;夏昊骅设计研发完成，并于2024-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于温控微量石英天平的铯沉积诊断装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于温控微量石英天平的铯沉积诊断装置及方法，属于负离子源及铯沉积诊断领域，该装置在QMB原始的金晶片表面上镀了镍或钼，用以模拟负离子源中的铯在等离子体栅极的沉积情况，从而实现铯在等离子体栅极的沉积诊断，并可由此对比分析铯在镀镍或钼的晶体表面的沉积效果；设计了可移动的着铯挡板，在铯流不稳定阶段着铯挡板覆盖在晶片着铯面阻止腔体中的铯附着在晶片上，待铯流稳定之后再移走着铯挡板使铯在晶片上沉积，能够提高测量精度、延长晶片的使用寿命；通过温控系统实现对晶片的温度控制，从而开展钼等多晶片实验，更为全面地研究铯的吸附解离过程，有助于研究分析温度和基底金属种类对铯吸附解离的沉积效果影响。

本发明授权一种基于温控微量石英天平的铯沉积诊断装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于温控微量石英天平的铯沉积诊断装置，其特征在于，包括：实验腔体、QMB、第一SID、第二SID、着铯挡板、温控模块、控制器和数据采集器；所述实验腔体一端与铯炉喷嘴连接，另一端与真空泵连接；所述QMB、第一SID、第二SID和着铯挡板均位于所述实验腔体内部；所述真空泵用于使所述实验腔体保持真空状态；所述第一SID用于测量铯炉喷嘴处的SID电流I1，所述第二SID用于检测实验腔体内其它位置处的SID电流I2；所述QMB的晶片镀镍或钼，所述QMB用于测量铯在所述晶片表面的沉积厚度；所述温控模块用于调控所述晶片的温度T；所述着铯挡板用于在初始状态下覆盖所述晶片的着铯面；所述控制器用于在铯炉喷嘴向实验腔体内注铯时，根据I1确定铯炉喷嘴处的铯通量a，根据I2确定实验腔体内其它位置处的铯通量b，在a、b均稳定且T符合测量温度时移走所述着铯挡板，并控制所述数据采集器采集所述QMB数据，得到吸附阶段铯在QMB晶片表面的沉积厚度；所述控制器还用于在铯炉喷嘴停止向实验腔体内注铯时，移动所述着铯挡板使其覆盖所述着铯面，当a、b均稳定为零且T符合测量温度时移走所述着铯挡板，控制所述数据采集器采集所述QMB数据，得到解离阶段铯在QMB晶片表面的沉积厚度；所述温控模块包括测温电路、水冷模块、加热模块和控制模块，所述测温电路、水冷模块、加热模块设置于所述晶片的非着铯面，所述控制模块用于根据所述测温电路的测量结果控制所述水冷模块或加热模块对所述晶片进行冷却或加热，以使所述晶片温度稳定在测量温度。

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