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龙图腾网恭喜湘潭大学申请的专利一种铜簇体阵列复合集流体、制备方法及电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117265532B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311346020.X，技术领域涉及：C23C28/02；该发明授权一种铜簇体阵列复合集流体、制备方法及电池是由潘俊安;王均豪;汪啸;潘勇;欧阳晓平设计研发完成，并于2023-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铜簇体阵列复合集流体、制备方法及电池在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种铜簇体阵列复合集流体、制备方法及电池，通过PET薄膜进行磁控溅射，得到表面具有溅射金属层的复合薄膜；通过第一段复合电沉积，在溅射金属层表面得到含有铜种子及碳纳米管组成的复合层；通过第二段复合电沉积，在溅射金属层表面得到多个铜柱组成的第一高度铜簇体阵列；第一高度不超过2μm；通过第三段复合电沉积，在第一高度铜簇体阵列上延伸生长得到第二高度铜簇体阵列；其中，铜柱垂直于溅射金属层，碳纳米管分布在铜柱内部且为两部分，其中第一部分分布在溅射金属层表面及第一高度铜簇体阵列，第二部分分布在第二高度铜簇体阵列；通过三段复合电沉积调整了电镀金属层中碳纳米管的含量和分布。

本发明授权一种铜簇体阵列复合集流体、制备方法及电池在权利要求书中公布了：1.一种铜簇体阵列复合集流体的制备方法，其特征在于，所述方法包括：通过对PET薄膜进行磁控溅射，得到表面具有溅射金属层的复合薄膜；通过第一段复合电沉积，在所述溅射金属层表面得到含有铜种子及碳纳米管组成的复合层；通过第二段复合电沉积，在溅射金属层表面得到多个铜柱组成的第一高度铜簇体阵列；所述第一高度不超过2μm；通过第三段复合电沉积，在所述第一高度铜簇体阵列上延伸生长得到第二高度铜簇体阵列；其中，所述铜柱垂直于所述溅射金属层，所述碳纳米管分布在所述铜柱内部且为两部分，其中第一部分分布在所述溅射金属层表面及所述第一高度铜簇体阵列，第二部分分布在所述第二高度铜簇体阵列；所述方法还包括：1将具有溅射金属层的复合薄膜置于含有碳纳米管的电沉积溶液中，设置第一段复合电沉积电压为0.1~0.3V，电沉积时间为10~30s，保持电沉积温度为25~30℃，此过程选用磁力搅拌器对电沉积溶液进行搅拌处理，搅拌速度为800~900rmin；2设置第二段复合电沉积电压为0.2V升压至1.8V，升压速度为0.05Vs，保持电沉积温度为25℃，此过程为定速搅拌，搅拌速度为50rmin；3向电沉积溶液中添加1%曲拉通X-100溶液，并充分搅拌均匀，第三段复合电沉积电压为1.5~2V，调整转速，由800~900rmin开始逐渐降低，转速衰减速率为400~600rmin，持续1~2min；得到铜簇体阵列复合集流体。

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