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龙图腾网恭喜兰州空间技术物理研究所申请的专利一种组分梯度分布的防原子氧薄膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116948445B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310917000.7，技术领域涉及：C09D5/00；该发明授权一种组分梯度分布的防原子氧薄膜是由何延春;李毅;王润福;李中华;李得天;王虎;王兰喜;曹生珠;左华平;高恒蛟;汪科良;蒋静设计研发完成，并于2023-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种组分梯度分布的防原子氧薄膜在说明书摘要公布了：本发明提供一种组分梯度分布的防原子氧薄膜，涉及航天器空间环境效应防护领域。该防原子氧薄膜的化学组分为SiOxCyHz，其中，薄膜表面的化学组分为SiO2，在由薄膜表面向其内部延伸的方向上，x从2减小到0.5，y从0增大到2，z从0增大到8。制备方法：通过等离子体增强化学气相沉积技术在基底上制备有机硅氧烷薄膜；采用紫外光辐照所述有机硅氧烷薄膜，使得该薄膜化学组分呈梯度分布，获得组分梯度分布的防原子氧薄膜。该防原子氧薄膜具有一定柔韧性，与基底材料结合力强，可应用于低地球轨道中飞行的航天器表面，并且该薄膜的防原子氧性能优异，生产效率高且光学透明度高，能够满足航天领域对超高原子氧累积通量的防护要求。

本发明授权一种组分梯度分布的防原子氧薄膜在权利要求书中公布了：1.一种组分梯度分布的防原子氧薄膜，其特征在于，所述防原子氧薄膜的化学组分为SiOxCyHz，其中，薄膜表面的化学组分为SiO2，在由薄膜表面向其内部延伸的方向上，x从2减小到0.5，y从0增大到2，z从0增大到8，所述防原子氧薄膜的制备方法包括以下步骤：1通过等离子体增强化学气相沉积技术在基底上制备有机硅氧烷薄膜；2采用紫外光辐照所述有机硅氧烷薄膜，使得该薄膜化学组分呈梯度分布，获得组分梯度分布的防原子氧薄膜，步骤1中，制备所述有机硅氧烷薄膜的过程中，采用的单体包括有机硅单体和氧气，所述有机硅单体包括：六甲基二硅氧烷和或四甲基二硅氧烷；步骤1中，所述有机硅单体预先加热至30～70℃，使所述有机硅单体由液态变为气态，将所述有机硅单体气体与氧气混合后通入，其中，所述有机硅单体气体的流速为2～200sccm，氧气的流速为0～200sccm；步骤1中，制备所述有机硅氧烷薄膜的过程中，真空度为1×10-4～1×10-2Pa，压力为1～20Pa，沉积功率为100～800W；步骤2中，紫外光辐照的波长范围为100～400nm，紫外光辐照强度为1.0～60.0mWcm2，紫外光辐照强度为1～500h。

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