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龙图腾网恭喜哈尔滨理工大学申请的专利一种兼具高储能密度和低传导损耗的聚合物薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116752089B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310702812.X，技术领域涉及：C23C14/08；该发明授权一种兼具高储能密度和低传导损耗的聚合物薄膜及其制备方法和应用是由张天栋;梁爽;迟庆国;张昌海;殷超设计研发完成，并于2023-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种兼具高储能密度和低传导损耗的聚合物薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：一种兼具高储能密度和低传导损耗的聚合物薄膜及其制备方法和应用。本发明属于聚合物电介质储能材料及其制备领域。本发明的目的是为了解决聚合物薄膜电容器储能密度低以及传导损耗高的技术问题。本发明通过调控不同的溅射功率与溅射时间，选取恰当的基片转速、基板温度以及合适的靶基距进行溅射，在BOPP薄膜表面生长不同厚度的CoFe2O4作为磁性表面功能层，所得功能层表面粗糙度良好，未出现明显的缺陷。该磁性功能层能够有效提高电容薄膜的储能密度。此外，磁性功能层不但能够提高电子注入势垒，而且磁性表面功能层具有较大的剩余磁化，能够对电子产生洛伦兹力作用，调控电子的传输路径，减少传导损耗。

本发明授权一种兼具高储能密度和低传导损耗的聚合物薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种兼具高储能密度和低传导损耗的聚合物薄膜的制备方法，其特征在于所述兼具高储能密度和低传导损耗的聚合物薄膜由BOPP薄膜和BOPP薄膜两侧通过磁控溅射获得的CoFe2O4层复合而成，其在电容器中应用，充电放电效率为83.8%，漏电流密度为5.35×10-8Acm2；所述制备方法按以下步骤进行：S1：将厚度为10μm的BOPP薄膜使用去离子水洗涤，接着使用酒精进行擦拭，然后将清洗后的BOPP薄膜固定在溅射腔室的基片上；以CoFe2O4作为靶材，抽取腔体真空度至2.0×10-4Pa，以氧气作为保护气体，氩气作为溅射气体，调节氩气与氧气流量比为3：1，真空腔室压强为1.1Pa，靶基距为8cm，基片旋转速度为6rpm，溅射功率为50W，溅射时间为0.5h，得到厚度为120nm的CoFe2O4层，翻转BOPP薄膜后，另一侧采用相同的磁控溅射条件生长CoFe2O4层得到聚合物薄膜；S2：使用稳恒磁场发生器，在1.5T的磁场强度下对聚合物薄膜磁化处理15min，得到兼具高储能密度和低传导损耗的聚合物薄膜。

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