恭喜泰州隆基乐叶光伏科技有限公司王涛获国家专利权
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龙图腾网恭喜泰州隆基乐叶光伏科技有限公司申请的专利一种背接触电池及其制造方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117558798B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310702158.2，技术领域涉及：H10F10/14；该发明授权一种背接触电池及其制造方法、光伏组件是由王涛;於龙;童洪波;李华设计研发完成，并于2023-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种背接触电池及其制造方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种背接触电池及其制造方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，用于使得隧穿钝化背接触式太阳能电池中，掺杂元素含有磷的N型掺杂多晶硅层具有良好的形貌和满足目标要求的形成范围，利于提升隧穿钝化背接触式太阳能电池的光电转换效率。所述背接触电池包括：半导体基底，以及沿半导体基底的厚度方向，依次层叠设置在半导体基底的背光面的局部区域上的隧穿钝化层和N型掺杂多晶硅层。半导体基底的向光面为绒面。N型掺杂多晶硅层内的掺杂元素包括磷，N型掺杂多晶硅层位于背光面的边缘区域上的部分与N型掺杂多晶硅层位于背光面的中心区域上的部分的厚度比大于等于1、且小于等于1.2。
本发明授权一种背接触电池及其制造方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池，其特征在于，包括：半导体基底，所述半导体基底的向光面为绒面；以及沿所述半导体基底的厚度方向，依次层叠设置在所述半导体基底的背光面的局部区域上的隧穿钝化层和N型掺杂多晶硅层；所述N型掺杂多晶硅层内的掺杂元素包括磷，所述N型掺杂多晶硅层位于所述背光面的边缘区域上的部分与所述N型掺杂多晶硅层位于所述背光面的中心区域上的部分的厚度比大于等于1、且小于等于1.2；其中，所述N型掺杂多晶硅层采用对本征非晶硅材料层进行磷扩散处理形成，经所述磷扩散处理后所述N型掺杂多晶硅层上形成有磷硅玻璃层，且在所述磷硅玻璃层的掩膜作用下，所述向光面进行制绒处理形成所述绒面。
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