恭喜乾宇微纳技术(深圳)有限公司伍佩铭获国家专利权
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龙图腾网恭喜乾宇微纳技术(深圳)有限公司申请的专利一种负型厚膜光刻浆料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116594260B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310498742.0，技术领域涉及：G03F7/038；该发明授权一种负型厚膜光刻浆料及其制备方法是由伍佩铭;董鹏程;许迪;孙胜延;丁德锐设计研发完成，并于2023-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种负型厚膜光刻浆料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种负型厚膜光刻浆料及其制备方法，属于电子浆料技术领域，所述的负型厚膜光刻浆料，包括以下质量百分比的组合：75~80%导电金属相、15~25%感光性有机载体、0.5~2%粘结相；所述粘结相包括玻璃粉及无机添加剂；所述玻璃粉与无机添加剂的质量比为1：（0.1~0.8）；所述无机添加剂包括氧化铋、氧化锆、三氧化钨，所述氧化铋、氧化锆、三氧化钨的质量比为1：（0.5~2）：（0.2~1）。所述的负型厚膜光刻浆料具有优异的导电性能、粘结力以及耐酸性。
本发明授权一种负型厚膜光刻浆料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种负型厚膜光刻浆料，其特征在于，包括以下质量百分比的组合：75~80%导电金属相、15~25%感光性有机载体、0.5~2%粘结相；所述粘结相包括玻璃粉及无机添加剂；所述玻璃粉与无机添加剂的质量比为1：（0.1~0.8）；所述无机添加剂包括氧化铋、氧化锆、三氧化钨，所述氧化铋、氧化锆、三氧化钨的质量比为1：（0.5~2）：（0.2~1）。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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