恭喜西安理工大学郭仲杰获国家专利权
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龙图腾网恭喜西安理工大学申请的专利图像传感器像元输出非线性校正及加速读出电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116017187B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211617981.5,技术领域涉及:H04N25/78;该发明授权图像传感器像元输出非线性校正及加速读出电路是由郭仲杰;王彬;许睿明;程新齐;刘绥阳;林涛设计研发完成,并于2022-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器像元输出非线性校正及加速读出电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种图像传感器像元输出非线性校正及加速读出电路,包括包括像素面阵中的感光像素中源随器M1、行选开关S1、Dummy像素中源随器M2、行选开关S2;列级校正加速电路中开关S3、S4、S5,运算放大器AMP,检流电阻Rs、采样电容Cs以及像素面阵列线COL。解决了传统大面阵像素结构中NMOS源随器带来的输出非线性以及超长列线寄生带来的信号建立缓慢的问题,并且本发明所提出的电路是列级电路放在像素面阵外围,不影响整体版图布局,电路只引入运放的额外功耗,使用感光像元面阵外Dummy像素中的源随器构成反馈环路,器件匹配性较好,电流通过分时复用列线电流,不存在电流失配问题。
本发明授权图像传感器像元输出非线性校正及加速读出电路在权利要求书中公布了:1.图像传感器像素输出非线性校正及加速读出电路,其特征在于:包括像素面阵中的感光像素中源随器M1,源随器M1栅极连接感光像素中的电荷存储节点FD,源随器M1漏极接电源电压VDD,源随器M1源极接行选开关S1源极,行选开关S1漏极接面阵列线COL;还包括Dummy像素中的源随器M2,源随器M2栅极与Dummy像素中的电荷存储节点FD断开,同时接AMP的输出OUT,源随器M2漏极接电源电压VDD,源随器M2源极接行选开关S2漏极,行选开关S2源极接面阵列线COL;还包括开关S3、开关S4、开关S6,开关S3、开关S4、开关S5、开关S6的源极接像素面阵列线COL,开关S3漏极接运算放大器AMP输出端OUT,开关S4漏极与电阻Rs的一端均接运算放大器AMP的正输入端VP,电阻Rs的另一端与开关S5源极、采样电容Cs上极板相接,采样电容Cs下极板接地电压GND,开关S5漏极与开关S6漏极、运算放大器AMP负输入端VN相接;所述行选开关S1、行选开关S2、开关S3、开关S4、开关S5、开关S6、源随器M1、源随器M2均为N沟道增强型绝缘栅型场效应晶体管NMOS,且采用源级与漏极可互换的形式设置;所述图像传感器像素输出非线性校正及加速读出电路的工作时序,包括如下步骤:步骤1,加速读出模式;所述步骤1的具体过程为:感光像素中的电荷存储节点FD的电压通过源随器M1读出至面阵列线COL,行选开关S1、开关S3、开关S4、开关S5导通,行选开关S2、开关S6断开,面阵列线COL给采样电容Cs充电,检流电阻Rs上流过电流,运算放大器AMP的正端VP电压大于负端VN电压,运算放大器AMP的OUT端将输出电流为面阵列线COL加速充电,当采样电容Cs上电压等于源随器M1输出电压时运算放大器AMP的正端VP电压等于负端VN电压,加速结束,电压信号已经读取到采样电容Cs中;步骤2,像素输出非线性校正模式;所述步骤2的具体过程为:行选开关S2、开关S6导通,行选开关S1、开关S3、开关S4、开关S5关断,采样电容Cs上的电压通过运算放大器AMP闭环负反馈将源随器M2的电压Vgs抬升为采样电容CS上的电压,使得电路输出电压L_OUT等于感光像素中的电荷存储节点FD的电压。
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