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龙图腾网恭喜西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利外延生长方法及外延晶圆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115948797B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211585627.9，技术领域涉及：C30B25/10；该发明授权外延生长方法及外延晶圆是由杨金柱;王力设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本外延生长方法及外延晶圆在说明书摘要公布了：本发明提供了一种外延生长方法及外延晶圆，属于半导体制造技术领域。外延生长方法，应用于外延生长设备，所述外延生长设备包括反应腔室、位于所述反应腔室内的基座、用于对所述反应腔室进行加热的加热模组，所述加热模组包括位于所述基座沿竖直方向的上方的第一加热组件和位于所述基座沿竖直方向的下方的第二加热组件，所述外延生长方法包括：在将抛光后的晶圆放置在所述基座上之前，控制所述第一加热组件和所述第二加热组件对所述反应腔室进行加热，且所述第一加热组件的热发射率大于所述第二加热组件的热发射率。本发明的技术方案能够消除外延晶圆背面的Halo，提高外延晶圆的产品良率。

本发明授权外延生长方法及外延晶圆在权利要求书中公布了：1.一种外延生长方法，其特征在于，应用于外延生长设备，所述外延生长设备包括反应腔室、位于所述反应腔室内的基座、用于对所述反应腔室进行加热的加热模组，所述加热模组包括位于所述基座沿竖直方向的上方的第一加热组件和位于所述基座沿竖直方向的下方的第二加热组件，所述外延生长方法包括：在将抛光后的晶圆放置在所述基座上之前，控制所述第一加热组件和所述第二加热组件对所述反应腔室进行加热，且所述第一加热组件的热发射率大于所述第二加热组件的热发射率；所述第一加热组件的热发射率比所述第二加热组件的热发射率大0.001-0.02；控制所述第一加热组件和所述第二加热组件对所述反应腔室进行加热之后，所述方法还包括：将抛光后的晶圆放置在所述基座上，在第一温度下向所述反应腔室内通入氢气，对所述反应腔室进行吹扫；升高所述第一加热组件和所述第二加热组件的功率，在第二温度下对所述晶圆表面进行氢气烘烤；在第三温度下向所述反应腔室内通入刻蚀气体，对所述晶圆表面进行刻蚀；在所述第三温度下向所述反应腔室内通入硅源气体，在刻蚀后的所述晶圆的表面上生长外延层；其中，所述第一温度为800-900℃，所述第二温度为1120-1140℃，所述第三温度为1110-1130℃。

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