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龙图腾网恭喜中国人民解放军网络空间部队信息工程大学申请的专利一种底电极内嵌式约瑟夫森结的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116193973B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211557682.7，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权一种底电极内嵌式约瑟夫森结的制备方法是由王卫龙;单征;刘福东;王立新;孙回回;穆清;王淑亚;费洋扬;孟祥栋;何昊冉;袁本政;杨天;冯薛飞;张潮洁;于小涵设计研发完成，并于2022-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种底电极内嵌式约瑟夫森结的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体生产工艺技术领域，特别涉及一种底电极内嵌式约瑟夫森结的制备方法，该方法包括：选取半导体衬底；通过光刻技术在半导体衬底的上表面形成底电极图形；使用刻蚀工艺在半导体衬底上形成底电极图形凹槽，刻蚀后的衬底进行光刻胶去除和清洗处理；在半导体衬底表面进行金属淀积；通过化学机械抛光的方式将半导体衬底表面金属层去除，只留下凹槽中的底电极导线条；对底电极导线条的表面进行氧化处理；在氧化处理之后，利用光刻和刻蚀工艺形成顶电极，顶电极的导线条与底电极的导线条形成交叉导线结构。本发明将底电极嵌入衬底凹槽中，避免了底电极突起导致的顶电极导线条厚度不均匀的情况出现，大大降低了顶电极电阻。

本发明授权一种底电极内嵌式约瑟夫森结的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种底电极内嵌式约瑟夫森结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：选取半导体衬底；通过光刻技术在半导体衬底的上表面形成底电极图形；采用干法刻蚀的方法，使用四氟化碳为刻蚀气体，刻蚀时间为30s，在衬底表面形成底电极图形凹槽，凹槽深度为30nm-60nm，刻蚀后的衬底进行光刻胶去除和清洗处理；采用磁控溅射的方式在衬底表面覆盖金属层，金属层的厚度略大于所刻蚀的凹槽深度，金属层厚度为40nm-70nm；通过化学机械抛光的方式将半导体衬底表面金属层去除，只留下凹槽中的底电极导线条；对底电极导线条的表面进行氧化处理；在氧化处理之后，利用光刻和刻蚀工艺形成顶电极，顶电极的导线条与底电极的导线条形成交叉导线结构。

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