恭喜中国科学院兰州化学物理研究所张斌获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院兰州化学物理研究所申请的专利一种抑制Jahn-Teller效应的锰基钠离子电池正极材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115663161B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211511005.1，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种抑制Jahn-Teller效应的锰基钠离子电池正极材料及其制备方法是由张斌;王政德;张俊彦设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抑制Jahn-Teller效应的锰基钠离子电池正极材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抑制Jahn‑Teller效应的锰基钠离子电池正极材料，是先采用高功率磁控溅射技术在锰基钠离子电池正极材料表面沉积二氧化钛薄膜，然后采用中频磁控溅射技术沉积氮掺杂类石墨碳薄膜。二氧化钛包覆层提供框架结构，有效将材料和电解液隔离开，避免材料溶解在电解液中造成不可逆损失，有效抑制Jahn‑Teller效应，提高材料结构稳定性；氮掺杂类石墨碳包覆层可以有效提高正极材料的导电性能，从而综合提高了材料的电化学性能。本发明的制备工艺不涉及液相反应条件，可以有效的避免杂质的引入，所制备的薄膜结合力较好，实验过程可控性高、效率高、污染小，具有广阔的市场应用前景。
本发明授权一种抑制Jahn-Teller效应的锰基钠离子电池正极材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抑制Jahn-Teller效应的锰基钠离子电池正极材料的制备方法，是先采用高功率磁控溅射技术在锰基钠离子电池正极材料表面沉积二氧化钛薄膜，然后采用中频磁控溅射技术沉积氮掺杂类石墨碳薄膜；其具体包括以下工艺步骤：（1）将NaxMnO2电极粉末烘干后置于磁控溅射装置真空镀膜室的旋转工架上，调整靶间距并抽真空至10-4Pa；所述NaxMnO2中，x≤1；（2）通入氩气，调节腔室工作气压至1.1Pa，采用高功率磁控溅射技术溅射二氧化钛靶沉积二氧化钛薄膜；（3）通入氮气，调节氩气、氮气的流量比为5:1~2:1，腔室工作气压保持在1.1Pa，采用中频磁控溅射技术溅射石墨靶沉积氮掺杂类石墨碳薄膜。
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