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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第五十四研究所申请的专利一种测量天线损耗的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115575724B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211245166.0，技术领域涉及：G01R29/08；该发明授权一种测量天线损耗的方法是由秦顺友;石磊设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种测量天线损耗的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种测量天线损耗的方法，属于天线技术领域。本发明首先在微波暗室环境条件下，利用远场法测量天线系统的归一化载噪比；然后用远场法测量天线E面和H面的功率方向图，利用数值积分的方法计算天线的方向性系数；最后由测量的天线系统归一化载噪比和天线方向性系数，计算天线的损耗。本发明的方法简单可行，具有推广和应用价值。

本发明授权一种测量天线损耗的方法在权利要求书中公布了：1.一种测量天线损耗的方法，其特征在于，包括以下步骤：1系统归一化载噪比的测量：在微波暗室远场条件下，将标准增益喇叭与待测天线对准，并进行极化匹配，用频谱分析仪测量待测天线接收的载波功率大小，用C表示，单位为dBm；然后关闭信号源的射频输出，将待测天线方位转动90°，指向微波暗室侧墙的吸波材料，接收微波暗室的环境噪声，用频谱分析仪测量系统的归一化噪声功率，用N0表示，单位为dBmHz；计算分贝表示的系统归一化载噪比： 式中： ―系统归一化载噪比，dBHz；C―待测天线接收的统载波功率，dBm；N0―系统归一化噪声功率，dBmHz；2待测天线的方向性系数测量：在微波暗室远场条件下，在±180°角度范围内，分别测量待测天线的E面功率方向图PEθ和H面功率方向图PHθ；利用下式计算天线的方向性系数： 式中：DE―天线E面方向性系数；DH―天线H面方向性系数；D―天线方向性系数，dBi；3计算天线损耗：由测量的系统归一化载噪比和天线方向性系数，利用下式计算天线损耗： 式中：Lant—天线损耗，dB；GS—标准增益喇叭的增益，dBi；PT—标准增益喇叭的输入功率，dBW；Lp—标准增益喇叭和待测天线之间的自由空间传播损耗，dB；T0—微波暗室的环境噪声温度，K；TLNA—低噪声放大器的噪声温度，K；完成天线损耗的测量。

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