恭喜武汉理工大学王涛获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉理工大学申请的专利一种钙钛矿白色发光二极管的发光层及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425147B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211164733.X，技术领域涉及：H10K50/11；该发明授权一种钙钛矿白色发光二极管的发光层及其制备方法与应用是由王涛;张小帅;刘丹;李伟设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钙钛矿白色发光二极管的发光层及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种钙钛矿白色发光二极管的发光层，该发光层由天蓝色发光的钙钛矿纳米晶与PCDTBT8按照150～400:1的质量比组成。本发明还提供了一种钙钛矿白色发光二极管的发光层的制备方法，采用混合溶剂的策略将钙钛矿纳米晶与PCDTBT8在同一溶剂中均匀混合，以天蓝色发光的纳米晶为主体，红色发光的PCDTBT8作为掺杂剂，通过纳米晶向PCDTBT8的高效能量转移，获得单发光层的双色光发射的效果。本发明还提供了一种具有上述发光层的钙钛矿白色发光二极管，由于具有单发光层结构，整体制备工艺更加简单，且通过调整纳米晶与PCDTBT8的比例能够对发光光谱和色温进行调控，以满足不同场景的应用需求，具有广阔的推广及应用前景。
本发明授权一种钙钛矿白色发光二极管的发光层及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种钙钛矿白色发光二极管的发光层，其特征在于，所述发光层由分子式为FA0.08Cs0.92PbBr,Cl3的钙钛矿纳米晶和PCDTBT8按照150～400:1的质量比组成。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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