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龙图腾网恭喜南京大学申请的专利通过源漏电压操作的非对称电极可重构晶体管及调试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377201B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211067410.9，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权通过源漏电压操作的非对称电极可重构晶体管及调试方法是由余林蔚;钱文涛;王军转设计研发完成，并于2022-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本通过源漏电压操作的非对称电极可重构晶体管及调试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种通过源漏电压操作的非对称电极可重构晶体管，包括衬底和设置于所述衬底上的多台阶沟道内分布有掺杂纳米线阵列，位于所述掺杂纳米线阵列两端且垂直于所述掺杂纳米线方向分别沉淀有漏极接触金属和源极接触金属，所述衬底两端的漏极接触金属与源极接触金属之间的上方沉积有栅介质层及栅极薄膜层。采用非对称的源漏极金属和掺杂纳米线沟道进行接触，能够获得非对称的肖特基势垒，通过漏极电压的预偏置效果可以初始调节漏极金属和掺杂纳米线沟道之间的肖特基势垒，改变漏极电压的正负加上栅极调控，即可改变晶体管的极性，获得无需改变载流子类型的可重构晶体管。

本发明授权通过源漏电压操作的非对称电极可重构晶体管及调试方法在权利要求书中公布了：1.一种通过源漏电压操作的非对称电极可重构晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）采用旋涂的方法在衬底上旋涂一层光刻胶；2）利用接触式曝光，采用光刻正胶工艺，将掩膜版沟道图案转移至所述衬底上；3）以步骤2）所形成的正胶图案，通过各向异性刻蚀和各向同性缩蚀的循环，在衬底上形成多台阶沟道；4）以步骤3）所形成的多台阶沟道，通过光刻负胶工艺定义催化剂金属图案，再于垂直所述沟道方向局部淀积一层带状的催化金属层；5）在PECVD系统中，升高温度至催化金属熔点以上，使用还原性气体进行等离子体处理，去除催化金属表面的氧化层，同时使催化金属分离成金属纳米颗粒；6）将温度降低到催化金属颗粒熔点以下使其变为固态，在整个样品表面覆盖掺杂非晶半导体前驱体薄膜；然后将温度升高至催化金属和非晶层的共熔点之上，使催化金属颗粒重新变为液态小球，在其前端开始吸收非晶半导体前驱体薄膜层，并在后端沉积出晶态掺杂纳米线；所述掺杂纳米线为P型或N型纳米线，当为N型纳米线时，硅烷SiH4和磷烷PH3的比例为6:0.5，纳米线直径约为30nm；7）样品表面剩余的非晶半导体前驱体薄膜层由氢气等离子体、RIE或者湿法刻蚀工艺去除，并进行高温热氧化对表面进行钝化；8）采用光刻负胶工艺定义漏极金属图案，去除表面氧化层并沉积漏极接触金属；所述漏极接触金属与纳米线沟道之间形成大于1eV的肖特基势垒，源极接触金属与纳米线沟道之间形成欧姆或类欧姆接触；9采用光刻负胶工艺定义源极金属图案，去除表面氧化层并沉积源极接触金属；10在样品表面淀积一层栅介质层；11）采用光刻负胶工艺，在源漏极区域定义开孔图案，并去除该区域的介质层以便于后续电学接触；12）采用光刻负胶工艺定义栅极图案，并沉积栅极薄膜，并根据需要在器件整体制备完后进行真空低温退火改善接触，消除界面缺陷。

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