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龙图腾网恭喜江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种倒装LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172550B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210982912.8，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种倒装LED芯片及其制备方法是由马婷;兰晓雯;焦恩;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2022-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种倒装LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法，属于LED芯片的技术领域；所述制备方法包括针对在具有深度为A微米的Mesa台阶的初始芯片结构的基础上，针对初始芯片结构上Mesa台阶区域的p型电极及p型焊盘电极形成的p型台阶进行厚度为B微米的不导电材料的填充，以弥补所述p型电极与所述n型电极之间的高度差；其中，A‑B≤2。本发明通过在焊盘电极蒸镀后增加光刻工艺及在p型电极一侧填充不导电材料，在确保p型电极与n型电极存在一定高度差结构的基础上，达到弥补p型电极与n型电极之间高度差的目的，从而提高倒装LED芯片在后续加工中的良率。

本发明授权一种倒装LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括提供一衬底；在所述衬底上生长外延层，并将所述外延层键合在基板上；将所述衬底去除，并对所述外延层的部分表面进行深度为A微米的刻蚀，以暴露出Mesa台阶；在未刻蚀的所述外延层的表面及所述Mesa台阶的表面分别制作n型电极和p型电极；在所述外延层、所述Mesa台阶、所述n型电极以及所述p型电极上制备布拉格反射层，并对所述布拉格反射层进行刻蚀以得到n型导电通孔和p型导电通孔；在所述布拉格反射层上制备n型焊盘电极以及p型焊盘电极以形成初始芯片结构，并使所述n型焊盘电极通过所述n型导电通孔与所述n型电极电性连接，且使所述n型焊盘电极通过所述n型导电通孔与所述n型电极电性连接；针对所述Mesa台阶区域的所述p型电极及所述p型焊盘电极形成的p型台阶进行厚度为B微米的不导电材料的填充，以弥补所述p型电极与所述n型电极之间的高度差；其中，A-B≤2。

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