恭喜江西兆驰半导体有限公司张彩霞获国家专利权
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龙图腾网恭喜江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207177B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210982925.5，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权发光二极管外延片及其制备方法是由张彩霞;印从飞;程金连;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2022-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种发光二极管外延片及其制备方法，该发光二极管外延片，包括依次层叠的衬底、第一半导体层、多量子阱层以及第二半导体层，所述多量子阱层包括周期性交替堆叠的量子阱层和量子垒层，所述多量子阱层中邻近所述第二半导体层的量子垒层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为GaN层，所述第二子层为石墨烯薄膜层，所述第三子层为掺杂Mg的ALGaN层。该发光二极管外延片增加了空穴的扩展和空穴迁移率，增加进入量子阱中的空穴浓度和扩展能力，并起到了部分电子阻挡的作用，增加了多量子阱中电子空穴对的复合几率。
本发明授权发光二极管外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括依次层叠的衬底、第一半导体层、多量子阱层以及第二半导体层，所述多量子阱层包括周期性交替堆叠的量子阱层和量子垒层，所述多量子阱层中邻近所述第二半导体层的量子垒层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为GaN层，所述第二子层为石墨烯薄膜层，所述第三子层为掺杂Mg的AlGaN层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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