恭喜重庆大学欧阳希获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网恭喜重庆大学申请的专利基于腐蚀调控技术的微纳光纤传感器及其外保护支架的制备与集成封装方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115200620B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210832677.6,技术领域涉及:G01D5/353;该发明授权基于腐蚀调控技术的微纳光纤传感器及其外保护支架的制备与集成封装方法是由欧阳希;周湶;陈伟根;李剑;王有元;杜林;王飞鹏;谭亚雄;万福;黄正勇;罗振辉设计研发完成,并于2022-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于腐蚀调控技术的微纳光纤传感器及其外保护支架的制备与集成封装方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种基于腐蚀调控技术的微纳光纤传感器及其外保护支架的制备与封装方法,属于光学传感器技术领域,包括以下步骤:确定微纳光纤传感器的具体目标参数;设计并制备外保护支架;对待腐蚀光纤进行加工处理,完成支架的封装;搭建光纤腐蚀平台,并运用光纤固定件将光纤及其支架进行固定;对光纤进行三阶段腐蚀;对腐蚀完成后的微纳光纤清洗并干燥;测试微纳光纤结构与性能,确定所制备的微纳光纤传感器满足设计要求。本发明可更好地满足实际中不同微纳光纤传感器的制作需求。
本发明授权基于腐蚀调控技术的微纳光纤传感器及其外保护支架的制备与集成封装方法在权利要求书中公布了:1.一种基于腐蚀调控技术的微纳光纤传感器及其外保护支架的制备与封装方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤1:确定微纳光纤传感器的具体目标参数,根据目标参数明确腐蚀位置P、HF酸浓度C及其滴加量V、腐蚀时间T、裸纤长度L1、涂覆层预留长度L2、滴涂方式M;步骤2:选用非疏水性、耐腐蚀且硬度大的材料作为外保护支架材料;设计出外保护支架的结构,包括中部三条微支梁、两端的连接部分,所述两端的连接部分中心位置有微孔,微孔用于串接光纤,微支梁提供连接支撑作用;制备出外保护支架,同时对各微支梁表面进行粗糙处理;步骤3:对待腐蚀光纤进行加工处理,将待腐蚀区域长度为L1的涂覆层去除,并确定出预留涂覆层的长度L2,在剩余涂覆层上制备出非连续性的预留涂覆层,所述预留涂覆层远离腐蚀中心的端部位置即为腐蚀液包覆的左右限定位置;将外保护支架串入至光纤待腐蚀区域,其中心位置与微纳光纤的中心位置一致,然后用耐腐蚀的固化胶将其固化,进而完成支架的封装;步骤4:搭建光纤腐蚀平台,并运用光纤固定件将光纤及其支架进行固定,整体保持水平稳定;步骤5:第一阶段腐蚀:滴加V体积量的高溶度腐蚀液至腐蚀位置P,确定腐蚀液不超过左右限定位置后,进行光纤腐蚀操作;完成腐蚀第一阶段腐蚀后,吸走HF酸液,并将去离子水滴入光纤腐蚀区域,然后开启超声振荡平台对样品进行振荡操作;步骤6:将振荡完成后的去离子水去除,并进行第二阶段腐蚀操作,其过程与步骤5相同;步骤7:第二阶段腐蚀操作完成后,将原有的高溶度HF酸液换成低溶度HF酸液,进行第三步腐蚀操作,其过程与步骤5、6相同,第三阶段的腐蚀时间大于前两阶段的腐蚀时间;步骤8:对腐蚀完成后的微纳光纤进行去离子水的清洗,以去除其中残留的HF酸液;之后注入含氯烷烃和酮的混合溶剂去除所预留的光纤涂覆层,等完全去除涂覆层后再替换成去离子水,并用超声振荡对原有结构进行清洗;清洗完成后,进行干燥处理;步骤9:测试微纳光纤结构与性能,确定所制备的微纳光纤传感器满足设计要求。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人重庆大学,其通讯地址为:400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。