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龙图腾网恭喜广东工业大学申请的专利基于动态接入反相器的低功耗积分器电路及其工作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114866088B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210585292.4，技术领域涉及：H03M1/00；该发明授权基于动态接入反相器的低功耗积分器电路及其工作方法是由张春华;郭春炳;陆维立;高钧达;简明朝;苑梦设计研发完成，并于2022-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于动态接入反相器的低功耗积分器电路及其工作方法在说明书摘要公布了：基于动态接入反相器的低功耗积分器电路及其工作方法，涉及模拟集成电路技术领域，包括动态偏置反相器、动态接入支路、采样电容及积分电容。本发明有益效果：本发明在传统的基于动态反相器的积分器电路的基础上增加了动态接入支路，当积分器工作在采样相时只需要很小的静态电流，而当积分器工作在积分相位时动态接入支路工作，给积分器提供较大的动态电流，使积分器的输出能快速建立，相比于传统基于动态偏置反相器的积分器电路，此积分器电路大大降低了积分器的静态功耗，能以极低的功耗得到较快速的输出响应。

本发明授权基于动态接入反相器的低功耗积分器电路及其工作方法在权利要求书中公布了：1.基于动态接入反相器的低功耗积分器电路，其特征在于，包括动态偏置反相器、动态接入支路、采样电容及积分电容，所述动态偏置反相器包括开关S1、开关S2、开关S3、开关S4、开关S5、开关S6、开关S7、开关S8、开关S9、开关S10、开关S11、开关S12，MOS管Mn1、MOS管Mn3、MOS管Mn4、MOS管Mn5、MOS管Mp1、MOS管Mp3、MOS管Mp4、MOS管Mp5，电容Cc1、电容Cc2，采样电容CS，积分电容CI，其中MOS管Mn1的栅极和电容Cc1的右极板与开关S2的左端相连，MOS管Mn1的源极接VSS，MOS管Mn1的漏极和MOS管Mn3的源极相连，MOS管Mn3的栅极和开关S10的左端相连，MOS管Mn3的漏极和积分电容CI的右极板相连，MOS管Mn4的源极和MOS管Mn1的漏极相连，MOS管Mn4的栅极和开关S8的右端相连，MOS管Mn4的漏极和开关S2的右端相连，MOS管Mn5的源极和MOS管Mn4的漏极相连，MOS管Mn5的栅极接Vbn，MOS管Mn5的漏极和MOS管Mp5的源极相连，MOS管Mp5的栅极接Vbp，MOS管Mp5的源极和MOS管Mn4的漏极相连，MOS管Mp4的栅极和开关S6的左端相连，MOS管Mp4的源极和MOS管Mp3的源极相连，MOS管Mp3的栅极和开关S7的左端相连，MOS管Mp3的漏极和MOS管Mn3的漏极相连，MOS管Mp1的栅极和电容Cc2的右极板相连，MOS管Mp1的漏极和MOS管Mp3的源极相连，MOS管Mp1的源极接到VDD；电容Cc2的左极板和采样电容Cs的右极板相连，采样电容Cs的左极板接VIN，积分电容CI的左极板接开关S1的右端，积分电容CI的右极板接VOUT，电容Gc1的左极板和电容CS的右极板相连，电容Cc1的右极板和MOS管Mn1的栅极相连；开关S1的左端和采样电容CS的右极板相连，开关S1的右端和积分电容CI的左极板相连，开关S2的左端和电容Cc1的右极板相连，开关S2的右端和MOS管Mn4的漏极相连，开关S3的左端和电容Cc2的右极板相连，开关S3的右端和MOS管Mp4的漏极相连，开关S4的左端和VDD相连，开关S4的右端和开关S6的左端相连，开关S5的左端和VDD相连，开关S5的右端和开关S7的左端相连，开关S6右端接Vb0，开关S7右端接Vb0，开关S8的左端和VSS相连，开关S8的右端和开关S11的左端相连，开关S9的左端和VSS相连，开关S9的右端和开关S10的左端相连，开关S10右端接Vb1，开关S11右端接Vb1，开关S12的左端接VCM，开关S12的右端和电容Cc1的左极板相连；动态接入支路包括MOS管Mn2、MOS管Mp2、MOS管Mn14、MOS管Mp14，其中MOS管Mn2的栅极和MOS管Mn1栅极相连，MOS管Mn2的漏极和MOS管Mn14的源极相连，MOS管Mn14的漏极和MOS管Mn3的漏极相连，MOS管Mp2的漏极和MOS管Mp14的源极相连，MOS管Mp2的源极和VDD相连，MOS管Mp2的栅极和MOS管Mp1的栅极相连，MOS管Mp14的栅极和开关S7的左端相连，MOS管Mp14的源极和MOS管Mp2的漏极相连，MOS管Mp14的漏极和MOS管Mp3的漏极相连，MOS管Mn14的栅极和开关S10的左端相连，MOS管Mn14的源极和MOS管Mn2的漏极相连，MOS管Mn14的漏极和MOS管Mn3的漏极相连。

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