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龙图腾网恭喜福建慧芯激光科技有限公司申请的专利一种掩埋式非氧化孔径VCSEL的外延结构及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114865451B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210521299.X，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种掩埋式非氧化孔径VCSEL的外延结构及其制备工艺是由鄢静舟;杨奕;糜东林;薛婷设计研发完成，并于2022-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种掩埋式非氧化孔径VCSEL的外延结构及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明提供一种掩埋式非氧化孔径VCSEL的外延结构，属于新型半导体激光器技术领域，包括衬底；在衬底上依次设置有MOCVD沉积缓冲层、第一分布式布拉格反射层、谐振腔、第二分布式布拉格反射层和欧姆接触层，谐振腔、所述第二分布式布拉格反射层以及所述欧姆接触层均为Ⅲ‑Ⅴ族化合物材料，谐振腔的顶面形成一个包括量子阱层的台面；外延结构还包括同质半绝缘层，同质半绝缘层包裹于所述台面的外周面，同质半绝缘层为AlxGa1‑xAs层或InP层。本发明用第二次外延再生长的同质半绝缘层掩埋于谐振腔四周，第二次外延再生长的半绝缘层和与其接触的外延层为同质材料，接触界面间表面缺陷较少且无热膨胀系数差异，可实现较好的外延晶体质量，提高器件可靠性。

本发明授权一种掩埋式非氧化孔径VCSEL的外延结构及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种掩埋式非氧化孔径VCSEL的外延结构，所述外延结构包括衬底，其特征在于：在所述衬底上依次设置有MOCVD沉积缓冲层、第一分布式布拉格反射层、谐振腔、第二分布式布拉格反射层和欧姆接触层，所述谐振腔的顶面形成一个包括量子阱层的台面，所述谐振腔、所述第二分布式布拉格反射层以及所述欧姆接触层均为Ⅲ-Ⅴ族化合物材料；所述外延结构还包括同质半绝缘层，所述同质半绝缘层包裹于所述台面的外周面，该同质半绝缘层的厚度大于量子阱到第二分布式布拉格反射层的距离；所述同质半绝缘层为AlxGa1-xAs层或InP层；所述同质半绝缘层的掺杂原子包括Fe、Ti、Ti+Zn、Ti+Cd、Ti+Hg、V、Cr、Mn、Co、Ni、Au、Rh、Hf、Zr、Ru、Cu、Os、O、In、Sb之一或其任意组合；所述外延结构制备工艺，包括以下步骤：（1）在衬底上采用MOCVD依次沉积缓冲层、第一分布式布拉格反射层、谐振腔；（2）通过增强等离子化学气相沉积方法、光刻与反应离子刻蚀工艺形成谐振腔蚀刻掩膜SiNx或SiO2，随后通过电感耦合等离子体蚀刻与湿法刻蚀谐振腔形成一定孔径与深度的台面；（3）利用SiNx或SiO2掩膜的选择性生长特性，采用MOCVD进行第二次外延生长同质半绝缘层掩埋于台面周边；（4）通过BOE去除谐振腔蚀刻掩膜SiNx或SiO2；（5）采用MOCVD进行第三次外延生长第二分布式布拉格反射层和欧姆接触层。

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