买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜全新光电科技股份有限公司申请的专利半导体磊晶晶圆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207109B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210351304.7，技术领域涉及：H10D64/62；该发明授权半导体磊晶晶圆是由黄朝兴;金宇中;戴文长设计研发完成，并于2022-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体磊晶晶圆在说明书摘要公布了：一种半导体磊晶晶圆，包含基板、第一磊晶堆叠结构、第一欧姆接触层与第二磊晶堆叠结构。其特征在于欧姆接触层是使用含氮量低的化合物，且通过使欧姆接触层于长晶过程时不产生明显的应力。如此，形成于欧姆接触层之上的第二磊晶堆叠结构，能有良好磊晶品质。由此提供制作GaAs集成电路或InP集成电路用的高品质半导体磊晶晶圆，同时不影响欧姆接触层的欧姆接触特性与减少干蚀刻制程时所生成的反应物。

本发明授权半导体磊晶晶圆在权利要求书中公布了：1.一种半导体磊晶晶圆，包含：一基板，具有一第一晶格常数X1，该基板为一Ge基板、一GaAs基板或一InP基板；一第一磊晶堆叠结构，其磊晶成长于该基板之上；一第一欧姆接触层，其磊晶成长于该第一磊晶堆叠结构之上，具有一第二晶格常数X2，该第一欧姆接触层选自由InxGa1-xAsyN1-y、InxGa1-xAsyNzSb1-y-z、InxGa1-xAsyNzBi1-y-z及InxGa1-xAsyNzSbwBi1-y-z-w所组成的群组的至少一材料，其中，当该基板为该GaAs基板或该Ge基板时，x值为0.05～0.3，而y、z、w为0.001～0.2；当该基板为该InP基板时，x是0.5～0.75，而y、z、w为0.001～0.2；以及一第二磊晶堆叠结构，其磊晶成长于该第一欧姆接触层之上；其中，X1-X2小于或等于±10000ppm；其中，该第一磊晶堆叠结构与该第二磊晶堆叠结构分别构成一第一半导体组件与一第二半导体组件，该第一半导体组件与该第二半导体组件通过该第一欧姆接触层构成为一集成电路。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人全新光电科技股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾桃园市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。