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龙图腾网恭喜南京大学申请的专利基于复合介质栅结构的感存算一体器件、阵列及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114841847B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210316354.1，技术领域涉及：G06T1/20；该发明授权基于复合介质栅结构的感存算一体器件、阵列及其方法是由闫锋;王凯;王子豪;沈凡翔;吴永杰;吴天泽;王一鸣设计研发完成，并于2022-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于复合介质栅结构的感存算一体器件、阵列及其方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于复合介质栅结构的感存算一体器件，包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅光敏探测器和复合介质栅晶体管。其中，复合介质栅光敏探测器在衬底上方依次设有第一底层绝缘介质层、第一浮栅、第一顶层绝缘介质层和第一控制栅；复合介质栅晶体管用于完成其存储的权重和感光的光电子的调和平均数的运算，其在衬底上方依次设有第二底层绝缘介质层、第二浮栅、第二顶层绝缘介质层和第二控制栅；复合介质栅光敏探测器和复合介质栅晶体管分别在衬底内设有源极和漏极。本发明的器件能在信号读取的过程中完成调和平均数的运算，可以用来匹配后续图像处理单元的复杂运算，降低后续图像处理的算力需求和功耗。

本发明授权基于复合介质栅结构的感存算一体器件、阵列及其方法在权利要求书中公布了：1.基于复合介质栅结构的感存算一体器件的操作方法，其感存算一体器件包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅光敏探测器和复合介质栅晶体管，所述复合介质栅光敏探测器用于收集、存储和读出感光的光电子，其在衬底上方依次设有第一底层绝缘介质层、第一浮栅、第一顶层绝缘介质层和第一控制栅；所述复合介质栅晶体管用于完成其存储的权重和所述感光的光电子的调和平均数的运算，其在衬底上方依次设有第二底层绝缘介质层、第二浮栅、第二顶层绝缘介质层和第二控制栅；所述复合介质栅光敏探测器和所述复合介质栅晶体管分别在衬底内设有源极和漏极，其特征在于，所述操作方法包括如下步骤：1权重的复位：调节所述第二控制栅与P型半导体衬底处于反偏状态，使得所述复合介质栅晶体管产生FN隧穿，完成权重的复位；2权重的写入：①调节所述第二控制栅与P型半导体衬底处于正偏状态，使得所述复合介质栅晶体管产生FN隧穿，完成权重的写入；或②调节所述第二控制栅与P型半导体衬底处于正偏状态，在所述复合介质栅光敏探测器漏极接地，所述复合介质栅晶体管漏极接正偏信号，使得所述复合介质栅晶体管产生热电子注入，完成权重的写入；3光电子的复位：调节所述第一控制栅与P型半导体衬底处于零偏状态，使得所述第一底层绝缘介质层下方P型半导体衬底内的耗尽区消失，完成光电子的复位；4光电子的产生：光电子入射到P型半导体衬底，产生光生电子空穴对；5光电子的收集：调节所述第一控制栅与P型半导体衬底处于正偏压状态，使得所述第一底层绝缘介质层下方P型半导体衬底内的耗尽区产生，步骤4中产生的光生电子空穴对在垂直电场的作用下分离，电子被扫入所述第一底层绝缘介质层下方P型半导体衬底内的耗尽区，空穴被扫出衬底；6信号的读出：在步骤5的正偏压基础上，所述复合介质栅光敏探测器漏极接地，所述第二控制栅上接正偏信号，所述复合介质栅晶体管的漏极接正偏信号，读取所述复合介质栅晶体管的输出电流。

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