恭喜江苏大学张韵获国家专利权
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龙图腾网恭喜江苏大学申请的专利一种具有高光效、低色漂移的白光发光二极管的设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114759127B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210301523.4，技术领域涉及：H10H20/825；该发明授权一种具有高光效、低色漂移的白光发光二极管的设计方法是由张韵;曹威;聂胜;帅凌霄;项文辞设计研发完成，并于2022-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有高光效、低色漂移的白光发光二极管的设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具有高光效、低色漂移的白光发光二极管的设计方法，包括：在衬底上采用MOCVD外延生长技术生长外延结构，所述外延结构沿着生长方向依次为本征GaN缓冲层、n型GaN层、有源区、p型GaN层。本发明通过外延生长半极性GaN基发光二极管，使发光波长稳定；二基色混合，改变可调控中间层的生长厚度、掺杂元素类型及掺杂浓度，进而调控发光光谱功率配比，达到白光发光，单芯片白光发光二极管能避免荧光粉带来的弊端，又可以实现高光效发光，具有优异的光视效能。不仅结构简单，且具有更高的自由度，应用前景广阔。
本发明授权一种具有高光效、低色漂移的白光发光二极管的设计方法在权利要求书中公布了：1.一种具有高光效、低色漂移的白光发光二极管的设计方法，其特征在于，在衬底上采用MOCVD外延生长技术生长外延结构，所述外延结构沿着生长方向依次为本征GaN缓冲层、n型GaN层、有源区、p型GaN层；所述衬底的材料为22-43面蓝宝石，在衬底上生长半极性20-21面的本征GaN缓冲层，所述有源区按照生长顺序依次为黄光量子阱发光层、可调控中间层和蓝光量子阱发光层，所述可调控中间层改变生长厚度、掺杂元素类型及掺杂浓度，以调控发光光谱功率配比。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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