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龙图腾网恭喜中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利一种基于MD级联构型分析的钨辐照缺陷产生方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664386B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210290058.9，技术领域涉及：G16C10/00；该发明授权一种基于MD级联构型分析的钨辐照缺陷产生方法及系统是由张传国;李永钢;郑淇蓉;魏留明;程凡;曾雉设计研发完成，并于2022-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于MD级联构型分析的钨辐照缺陷产生方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于MD级联构型分析的钨辐照缺陷产生方法及系统包括：对PKA能谱采用随机抽样方法得到单个PKA能量Epka；由PKA能量得到相应的级联能量；依照缺陷数目和依照缺陷团簇数目进行后续抽样操作；通过级联能量得到缺陷团簇尺寸分布参数；通过缺陷团簇尺寸分布参数即可得到相应的尺寸分布形式，依照缺陷团簇尺寸分布形式随机抽样得到间隙团簇或空位团簇的尺寸；通过级联能量得到缺陷团簇空间分布参数；通过缺陷团簇空间分布参数得到缺陷团簇空间分布形式，依照缺陷团簇径向和角向分布形式随机抽样得到间隙团簇或空位团簇的位置，进而得到整个级联缺陷构型。本发明解决了辐照缺陷多尺度模拟框架中缺陷初始分布产生效率和精度无法兼顾的技术问题。

本发明授权一种基于MD级联构型分析的钨辐照缺陷产生方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于MD级联构型分析的钨辐照缺陷产生方法，其特征在于，所述方法包括：S1、对PKA能谱采用随机抽样方法得到单个的PKA能量Epka；S2、根据单个的所述PKA能量处理得到相应的级联能量Emd＝fEpka·Epka；S3、根据所述级联能量Emd＝fEpka·Epka处理得到缺陷数目和缺陷团簇数目，据以利用两种模式进行抽样操作，所述S3包括：S31、以下述逻辑表示点缺陷数目随级联能量关系： 其中，Ed为阈值离位能量，E0为分段函数转折点，其中S32、以下述逻辑表示缺陷团簇数目随级联能量的关系：NE＝a·Eb+c其中，a，b，c为拟合参数，NE为所述缺陷团簇数目；S4、根据所述级联能量Emd＝fEpka·Epka得到缺陷团簇尺寸分布参数，拟合不同的所述级联能量的尺寸分布参数得到缺陷团簇尺寸分布参数随级联能量关系；S5、通过对预设数量的MD级联模拟缺陷构型分析并根据所述缺陷团簇尺寸分布参数处理得到相应的缺陷团簇尺寸分布形式，据以随机抽样得到间隙团簇或空位团簇的尺寸分布；S6、根据所述级联能量得到所述缺陷团簇空间分布参数，通过拟合不同所述级联能量的径向分布参数得到缺陷团簇径向分布参数随级联能量关系；S7、根据所述缺陷团簇空间分布参数处理得到缺陷团簇空间分布形式，依照缺陷团簇径向和角向分布形式随机抽样得到间隙团簇或空位团簇的位置，进而得到整个级联缺陷构型，其中，所述S7中通过显示MD级联模拟后的缺陷构型，发现级联体积中心为空位团簇，周围为间隙团簇，以将所述缺陷构型近似为一个角向均匀分布的球体，所述S7包括：S71、通过IM3D计算得到级联能量沉积的径向分布形式： 即dEr～exp-rλ·4πr2·sinθ·dθ·dψ，其中，r,θ,ψ为球坐标系三个坐标距离、极角和方位角，E是级联能量，λ为拟合的衰减常数，ΔV为体积微元；S72、设产生的缺陷团簇数目与能量沉积呈正比，以根据下述逻辑： 处理得径向分布参数：dEr～exp-rλ·4πr2·sinθ·dθ·dψ；S73、根据级联缺陷角向均匀分布数据：以下述逻辑：其中，Nr,θ,ψ是产生的缺陷团簇数目， 处理得到缺陷团簇极角分布：方位角分布：径向分布：据以得到所述级联缺陷构型。

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