恭喜株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社山田哲也获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社申请的专利制造具有镓基化合物半导体层的半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114927501B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210121575.3，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权制造具有镓基化合物半导体层的半导体器件的方法是由山田哲也设计研发完成，并于2022-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造具有镓基化合物半导体层的半导体器件的方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件的制造方法，包括：在镓基化合物半导体层10的非元件区域10A中形成对准标记30；并且在所述对准标记30的形成之后，在所述镓基化合物半导体层10的元件区域10B中形成元件结构。所述对准标记30的形成还包括：将金属离子注入到所述镓基化合物半导体层10的非元件区域10A的表面层部分的一部分中；和对所述镓基化合物半导体层10进行退火。
本发明授权制造具有镓基化合物半导体层的半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括：在镓基化合物半导体层10的非元件区域10A中形成对准标记30；和在所述对准标记30的形成之后，在所述镓基化合物半导体层10的元件区域10B中形成元件结构，其中，所述对准标记30的形成包括：将金属离子注入到所述镓基化合物半导体层10的非元件区域10A的表面层部分的一部分中；和对所述镓基化合物半导体层10进行退火，其中所述镓基化合物半导体层10是氮化镓基半导体层，和所述金属是镁。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社，其通讯地址为：日本爱知县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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