恭喜长鑫存储技术有限公司邢勇军获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件的测试方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114414974B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210047617.3，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权半导体器件的测试方法、装置、设备及存储介质是由邢勇军;黄新宇设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的测试方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体器件的测试方法、装置、设备及存储介质。半导体器件的测试方法包括：获取栅极电压与漏极电流的关系曲线；根据栅极电压与漏极电流的关系曲线，获得跨导；根据跨导和栅极电压，获得跨导与栅极电压的关系曲线；根据跨导与栅极电压的关系曲线，获得峰值跨导值和相邻跨导值；确定相邻跨导值与峰值跨导值的比值是否小于预设值；若是，停止测试。采用本公开的半导体器件的测试方法，通过所获得峰值跨导值和与其相邻的跨导值的比值小于预设值，可以准确确定最大跨导值，以能准确根据最大跨导值来确定半导体器件的阈值电压。
本发明授权半导体器件的测试方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的测试方法，其特征在于，包括：获取栅极电压与漏极电流的关系曲线；根据所述栅极电压与漏极电流的关系曲线，获得跨导；根据所述跨导和所述栅极电压，获得所述跨导与所述栅极电压的关系曲线；根据所述跨导与栅极电压的关系曲线，获得峰值跨导值和相邻跨导值，其中所述峰值跨导值为所述跨导与栅极电压关系曲线的峰值位置处的跨导值，所述相邻跨导值为与所述峰值位置相邻位置处的跨导值；确定所述相邻跨导值与所述峰值跨导值的比值是否小于预设值；若是，停止测试。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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