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龙图腾网恭喜复旦大学申请的专利一种高效编程的半浮栅晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141628B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111414299.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种高效编程的半浮栅晶体管及其制备方法是由晁鑫;王晨;陈琳;孙清清;张卫设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高效编程的半浮栅晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种高效编程的半浮栅晶体管及其制备方法。该高效编程的半浮栅晶体管，包括：衬底，其形成有P阱区、N阱区和U型槽，其中，N阱区位于P阱区上方，U型槽贯穿N阱区；半浮栅介质层，形成在U型槽表面并延伸覆盖一侧的部分N阱区表面，且在另一侧形成有窗口；半浮栅，覆盖半浮栅介质层并完全填充U型槽，且在窗口处与N阱区相接触；控制栅介质层、控制栅和掩膜层，控制栅介质层覆盖半浮栅，控制栅和掩膜层依次形成在控制栅介质层上；分离栅介质层和分离栅，分离栅介质层形成在N阱区表面并延伸覆盖部分掩膜层表面，分离栅覆盖分离栅介质层并填充分离栅区域；源区和漏区，分别形成在控制栅和分离栅两侧，N阱区中。

本发明授权一种高效编程的半浮栅晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高效编程的半浮栅晶体管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底中离子注入形成P阱区和N阱区，N阱区形成在P阱区上方，刻蚀形成U形槽，U形槽贯穿N阱区；形成第一氧化硅层和半浮栅，第一氧化硅层覆盖U形槽表面及部分N阱区表面，且在U形槽外侧的N阱区表面形成窗口；半浮栅覆盖第一氧化硅层，在窗口处于N阱区表面接触；淀积第二氧化硅层、第二多晶硅层和掩膜层，进行边缘刻蚀，刻蚀出控制栅区域及分离栅区域，在窗口处残余有部分第一氧化硅层；对暴露于空气中的多晶硅及硅进行氧化，形成第三氧化硅层，而后刻蚀去除窗口处残余的第一氧化硅层和第三氧化硅层，彻底打通嵌入式隧穿晶体管沟道与半浮栅存储层的编程通道；淀积分离栅介质层，使其覆盖器件表面，淀积第三多晶硅层，使其覆盖分离栅介质层并完全填充分离栅区域，进行边缘刻蚀及中间刻蚀，形成控制栅、分离栅以及源漏区；形成侧墙，进行源漏离子注入，同时对第三多晶硅层和第二多晶硅层实现N型离子掺杂，形成高效编程的半浮栅晶体管。

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