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龙图腾网恭喜日立能源有限公司申请的专利具有不对称特性的双向晶闸管装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116472613B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180078554.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权具有不对称特性的双向晶闸管装置是由J·伏贝基设计研发完成，并于2021-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有不对称特性的双向晶闸管装置在说明书摘要公布了：指定了一种双向晶闸管装置，包括：沿竖直方向在第一主表面21与第二主表面22之间延伸的半导体本体2，第二主表面与第一主表面21相对；布置在第一主表面21上的第一主电极31和布置在第二主表面22上的第二主电极32，其中半导体本体2包括第一导电类型的第一基极层51、第一导电类型的第二基极层52、和布置在第一基极层51与第二基极层52之间的不同于第一导电类型的第二导电类型的第三基极层53。第一主电极31充当双向晶闸管装置1的第一晶闸管功能元件11的阴极和第二晶闸管功能元件12的阳极。双向晶闸管进一步包括在其中的第二导电类型的第一和第二发射极区域61、62、和第一导电类型的发射极短路区域71、72。双向晶闸管装置1通过第一和第二主侧处的第一发射极短路区域71和第二发射极短路区域72的不同布置关于第一晶闸管功能元件11和第二晶闸管功能元件12不对称地配置。

本发明授权具有不对称特性的双向晶闸管装置在权利要求书中公布了：1.一种双向晶闸管装置1，包括：-半导体本体2，所述半导体本体沿竖直方向在第一主表面21与第二主表面22之间延伸，所述第二主表面与所述第一主表面21相对，-布置在所述第一主表面21上的第一主电极31以及布置在所述第二主表面22上的第二主电极32，其中，-所述半导体本体2包括第一导电类型的第一基极层51、所述第一导电类型的第二基极层52、以及布置在所述第一基极层51与所述第二基极层52之间的不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第三基极层53，-所述第一主电极31充当所述双向晶闸管装置1的第一晶闸管功能元件11的阴极和所述双向晶闸管装置1的第二反并联晶闸管功能元件12的阳极，-所述第一主电极31毗连所述第二导电类型的至少一个第一发射极区域61和所述第一导电类型的多个第一发射极短路区域71，-所述第二主电极32毗连所述第二导电类型的至少一个第二发射极区域62和所述第一导电类型的多个第二发射极短路区域72，其特征在于，-当沿着所述竖直方向看时，所述多个第一发射极短路区域71在所述第一主表面21处的布置不同于所述多个第二发射极短路区域72在所述第二主表面22处的布置，使得所述双向晶闸管装置1关于所述第一晶闸管功能元件11和第二晶闸管功能元件12不对称地配置，并且所述双向晶闸管装置1包括以下各者中的至少一者：i所述第一主表面21上的第一栅电极41，其中，所述第一主电极31包括彼此间隔开的多个第一段310，其中，当沿着所述竖直方向看时，所述第一段310中的至少一些第一段完全被所述第一栅电极41包围；以及ii所述第二主表面22上的第二栅电极42，其中，所述第二主电极32包括彼此间隔开的多个第二段320，其中，当沿着所述竖直方向看时，所述第二段320中的至少一些第二段完全被所述第二栅电极42包围，其中，当沿着所述竖直方向看时，至少一个第一发射极区域61与第二发射极短路区域72重叠。

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