恭喜北京超弦存储器研究院;北京大学蔡一茂获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京超弦存储器研究院;北京大学申请的专利一种基于多阻变层的阻变存储器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114094009B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111385644.3，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种基于多阻变层的阻变存储器件及其制备方法是由蔡一茂;王宗巍;王錡深;杨宇航;黄如设计研发完成，并于2021-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于多阻变层的阻变存储器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公布了一种基于多阻变层的阻变存储器及其制备方法，属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。本发明基于传统CMOS工艺来实现具有高retention的阻变存储器件，其核心在于，阻变层由拦截特性薄膜和具有阻变特性的阻变材料薄膜交替叠加构成，形成多层阻变层结构。本发明通过调整界面处势垒以期降低甚至消除阻变存储器的crossbar结构中存在的阻变层离子迁移问题，可有效地抑制器件的低保持力。同时，多层阻变层结构也有利于增加器件的状态数，为实现阻变存储器大规模集成以及商业化铺平了道路。
本发明授权一种基于多阻变层的阻变存储器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种阻变存储器的制备方法，该阻变存储器的阻变层由拦截特性薄膜和具有阻变特性的阻变材料薄膜交替叠加构成，包括如下步骤：1）定义底电极图形，在衬底上制备底电极；2）采用物理气相淀积、原子层淀积或化学气相沉积的方法在底电极上淀积阻变材料薄膜；3）采用PVD或ALD的方法在阻变材料薄膜上淀积拦截特性薄膜，所述拦截特性薄膜采用SiOX、BN、石墨烯或石墨材料，厚度为1nm~10nm；4）重复2）和3）步骤，形成拦截特性薄膜和阻变材料薄膜交替叠加构成的阻变层结构；5）定义底电极引出孔图形，在阻变材料薄膜和拦截特性薄膜刻蚀出底电极引出孔；6）定义顶电极图形，制备顶电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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