买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利电容器的形成方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115996561B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111208407.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权电容器的形成方法及半导体器件是由王晓玲;洪海涵;张民慧设计研发完成，并于2021-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本电容器的形成方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种电容器的形成方法及半导体器件，所述电容器的形成方法包括：提供基底；在基底上依次形成第一支撑层和第一牺牲层；形成贯穿第一支撑层和所述第一牺牲层的第一通孔；填充第一通孔，形成第一填充结构；形成覆盖剩余的第一牺牲层和第一填充结构的第二支撑层；形成贯穿第二支撑层的第二通孔；其中，沿平行于第一通孔的径向方向，第一通孔的截面面积小于第二通孔的截面面积；形成覆盖剩余的第二支撑层和第二通孔的第二牺牲层和第三支撑层；形成贯穿第三支撑层和第二牺牲层的第三通孔；去除第一填充结构，以连通第三通孔和第一通孔；依次形成覆盖第一通孔和第三通孔的第一电极层、介质层和第二电极层，以形成电容器。

本发明授权电容器的形成方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种电容器的形成方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底；在所述基底上依次形成第一支撑层和第一牺牲层；形成贯穿所述第一支撑层和所述第一牺牲层的第一通孔，以显露所述基底；填充所述第一通孔，形成第一填充结构；形成覆盖剩余的所述第一牺牲层和所述第一填充结构的第二支撑层；形成贯穿所述第二支撑层的第二通孔，以显露所述第一填充结构；其中，沿平行于所述第一通孔的径向方向，所述第一通孔的截面面积小于所述第二通孔的截面面积；形成覆盖剩余的所述第二支撑层和所述第二通孔的第二牺牲层；形成覆盖所述第二牺牲层的第三支撑层；形成贯穿所述第三支撑层和所述第二牺牲层的第三通孔，以显露所述第一填充结构；去除所述第一填充结构，以连通所述第三通孔和所述第一通孔；依次形成覆盖所述第一通孔和所述第三通孔的第一电极层、介质层和第二电极层，以形成所述电容器。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。