恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新氦类脑智能科技有限公司徐思秋获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新氦类脑智能科技有限公司申请的专利一种差分相变存储单元结构、相变存储器及驱动方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948136B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111191017.6，技术领域涉及：G11C11/56；该发明授权一种差分相变存储单元结构、相变存储器及驱动方法是由徐思秋;李喜;陈后鹏;解晨晨;梁龙飞设计研发完成，并于2021-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种差分相变存储单元结构、相变存储器及驱动方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种差分相变存储单元结构、相变存储器及驱动方法。其中，差分相变存储单元结构的第一选通器件的栅端、第二选通器件的栅端和第三选通器件的栅端连接在一起作为差分相变存储单元结构的字线，第一选通器件的源端和第二选通器件的源端均接地，第三选通器件的漏极或源极、第一选通器件的漏极、以及第一相变电阻的第一端连接在一起，第三选通器件的源极或漏极、第二选通器件的漏极以及第二相变电阻的第一端连接在一起；第一相变电阻的第二端连接第一位线，第二相变电阻的第二端连接第二位线。本发明可以在无需外加参考电阻的条件下以较小的阵列面积实现高速驱动的存储器性能。
本发明授权一种差分相变存储单元结构、相变存储器及驱动方法在权利要求书中公布了：1.一种差分相变存储单元结构，其特征在于，包括第一选通器件、第二选通器件、第三选通器件、第一相变电阻和第二相变电阻；所述第一选通器件的栅端、第二选通器件的栅端和第三选通器件的栅端连接在一起作为所述差分相变存储单元结构的字线，所述第一选通器件的源端和第二选通器件的源端均接地，所述第三选通器件的漏极或源极、所述第一选通器件的漏极、以及所述第一相变电阻的第一端连接在一起，所述第三选通器件的源极或漏极、所述第二选通器件的漏极以及第二相变电阻的第一端连接在一起；所述第一相变电阻的第二端连接第一位线，所述第二相变电阻的第二端连接第二位线。
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