恭喜秀博瑞殷株式公社延昌峰获国家专利权
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龙图腾网恭喜秀博瑞殷株式公社申请的专利薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115702257B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180043888.5，技术领域涉及：C23C16/18；该发明授权薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法是由延昌峰;郑在善;边惠兰;严泰泳;李锡宗设计研发完成，并于2021-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，具体涉及在20℃、1bar条件下为液体，并且，包含20～100重量％的由化学式1表示的配位化合物以及0～80重量％的烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物的薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，[化学式1]MXnLmYz其中，M为铌Nb、钨W或钼Mo；X为卤素元素；n为1～6的整数；L为烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物，或碳原子数为3～15且被一个以上的氮N、氧O、磷O或硫S取代的线性或环状饱和烃；m为1～3的整数；所结合的Y为胺；z为0～4的整数；n+z为3～6的整数。根据本发明，提供一种薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，该薄膜形成用前体在常温下为液态，挥发性强，因此沉积速度非常快，并且当注入到薄膜沉积腔室时，易于处理，尤其是热稳定性出色，因而能够制备出纯度高且台阶覆盖性优秀的薄膜。
本发明授权薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜形成用前体，其特征在于，在20℃、1bar条件下为液体，并且，包含20～100重量％的由化学式1表示的配位化合物以及0～80重量％的烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物，[化学式1]MXnLmYz其中，M为铌Nb、钨W或钼Mo；X为卤素元素；n为1～6的整数；L为烷基的碳原子数为1～5的烷基氰化物；m为1～3的整数；所结合的Y为仲胺；z为1～3的整数；n+m+z为3～6的整数。
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