恭喜台湾积体电路制造股份有限公司刘之诚获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于半导体制造的光致抗蚀剂获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113943314B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110506652.2,技术领域涉及:C07F5/00;该发明授权用于半导体制造的光致抗蚀剂是由刘之诚;郭怡辰;陈彥儒;李志鸿;杨棋铭;李资良设计研发完成,并于2021-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体制造的光致抗蚀剂在说明书摘要公布了:本申请涉及用于半导体制造的光致抗蚀剂。提供了用于极紫外EUV光刻的有机金属前体。有机金属前体包含芳族二齿配体、与所述芳族二齿配体配位的过渡金属和与所述过渡金属配位的极紫外EUV可裂解配体。所述芳族二齿配体包含多个吡嗪分子。
本发明授权用于半导体制造的光致抗蚀剂在权利要求书中公布了:1.一种有机金属前体,所述有机金属前体包含:芳族二齿配体;与所述芳族二齿配体配位的过渡金属;和与所述过渡金属配位的极紫外可裂解配体,其中所述芳族二齿配体包含多个吡嗪分子,其中所述芳族二齿配体是2,2’-联吡嗪,并且其中所述过渡金属选自锡、铋、锑、铟和碲。
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