恭喜美光科技公司黄穗麒获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利减轻相邻堆叠式半导体装置上的热冲击获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113644056B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110479153.9,技术领域涉及:H01L25/065;该发明授权减轻相邻堆叠式半导体装置上的热冲击是由黄穗麒设计研发完成,并于2021-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本减轻相邻堆叠式半导体装置上的热冲击在说明书摘要公布了:本申请涉及减轻相邻堆叠式半导体装置上的热冲击。本文公开一种半导体装置组合件和相关联方法。所述半导体装置组合件包含1具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的衬底;2处于所述衬底的所述第一侧的第一组堆叠式半导体装置;3邻近于所述第一组堆叠式半导体装置的一侧的第二组堆叠式半导体装置;4邻近于所述第一组堆叠式半导体装置的相对侧的第三组堆叠式半导体装置;以及5处于所述第二侧且与所述第二组堆叠式半导体装置对准的温度调节组件。所述温度调节组件被定位以吸收热能且借此使所述第二组堆叠式半导体装置与所述第一组堆叠式半导体装置热隔离。
本发明授权减轻相邻堆叠式半导体装置上的热冲击在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置组合件,其包括:衬底,其具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧;第一组堆叠式半导体装置,其处于所述衬底的所述第一侧;以及第二组堆叠式半导体装置,其邻近于所述第一组堆叠式半导体装置;其中一工具被配置成接合所述半导体装置组合件,所述工具包括一接合头被配置成从与所述衬底相对的所述第一组堆叠式半导体装置的一侧施加热能于所述第一组堆叠式半导体装置,其中所述工具更包括温度调节组件被配置成在至少部分垂直地与所述第二组堆叠式半导体装置对准之区域接触所述衬底的所述第二侧,且在垂直地与所述第一组堆叠式半导体装置对准之任何区域不接触所述衬底的所述第二侧,且其中所述温度调节组件被配置成吸收施加到所述第一组堆叠式半导体装置的所述热能的至少一部分,且借此抑制所述热能加热所述第二组堆叠式半导体装置。
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