恭喜中微半导体设备(上海)股份有限公司郭盛获国家专利权
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龙图腾网恭喜中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种去除半导体反应腔内金属污染的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274389B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110479085.6，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种去除半导体反应腔内金属污染的方法是由郭盛;陈星建设计研发完成，并于2021-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种去除半导体反应腔内金属污染的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种去除半导体反应腔内金属污染的方法，包括：所述反应腔的内侧壁上具有金属污染物，向所述反应腔内通入碳氟气体，碳氟气体在反应腔的内侧壁形成碳氟聚合物，所述金属污染物吸附碳氟聚合物；所述金属污染物吸附碳氟聚合物之后，通入氧化性气体，所述碳氟聚合物与氧化性气体、金属污染物发生化学反应形成气态化合物。本发明提供的方法能够大幅降低腔体内的金属污染物含量，提升产品良率；在不打开半导体腔室的前提下去除腔体内壁的金属污染物，清除完成后，腔室无需预防性维护即可继续工作，缩短了加工过程之间的时间间隔；与化学溶液擦拭或清洗相比，采用通入气体的方式去除污染物能够节约成本。
本发明授权一种去除半导体反应腔内金属污染的方法在权利要求书中公布了：1.一种去除半导体反应腔内金属污染的方法，其特征在于，包括：所述反应腔的内侧壁上具有金属污染物，向所述反应腔内通入碳氟气体，碳氟气体在反应腔的内侧壁形成碳氟聚合物，所述金属污染物吸附碳氟聚合物；所述金属污染物吸附碳氟聚合物之后，通入氧化性气体，所述碳氟聚合物与氧化性气体、金属污染物发生化学反应形成气态化合物；所述金属污染物为铜，部分所述铜的铜原子物理吸附所述碳氟聚合物之后，铜原子与碳氟聚合物发生化学反应形成碳氟铜化合物；通入所述氧化性气体之后，氧化性气体与碳氟铜化合物发生化学反应形成二氧化碳和铜的氟化物。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中微半导体设备(上海)股份有限公司，其通讯地址为：201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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