恭喜台湾积体电路制造股份有限公司曾李全获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利对晶片载具中的晶片进行检测与标绘的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664688B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110466105.6，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权对晶片载具中的晶片进行检测与标绘的方法是由曾李全设计研发完成，并于2021-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本对晶片载具中的晶片进行检测与标绘的方法在说明书摘要公布了：一种方法包括产生朝工件载具的第一槽的第一辐射射束。第一辐射射束具有第一射束面积，第一射束面积大于或等于第一槽的开口的面积。所述方法还包括测量第一辐射射束的朝辐射传感器反射并照射在辐射传感器上的反射部分。所述方法还包括基于第一辐射射束的所测量的反射部分判断工件载具的第一槽是否正容纳有工件。
本发明授权对晶片载具中的晶片进行检测与标绘的方法在权利要求书中公布了：1.一种检测方法，包括：产生朝工件载具的第一槽的第一辐射射束，其中所述第一辐射射束具有第一射束面积，所述第一射束面积大于或等于所述第一槽的开口的面积，其中所述第一槽的所述开口在侧向上位于所述工件载具的第一侧壁与第二侧壁之间且在垂直上位于所述工件载具的第一搁板与第二搁板之间，其中所述第一辐射射束从所述第一侧壁侧向延伸至所述第二侧壁且从所述第一搁板垂直延伸至所述第二搁板，且其中所述工件载具的第二槽的开口在侧向上位于所述工件载具的所述第一侧壁与所述第二侧壁之间且在垂直上位于所述工件载具的所述第二搁板与第三搁板之间；测量所述第一辐射射束的朝辐射传感器反射并照射在所述辐射传感器上的反射部分；基于所述第一辐射射束的所测量的所述反射部分来判断所述工件载具的所述第一槽是否正容纳有工件；以及在所述第一辐射射束从所述第一侧壁侧向延伸至所述第二侧壁且从所述第一搁板垂直延伸至所述第二搁板的第一状态与所述第一辐射射束从所述第一侧壁侧向延伸至所述第二侧壁且从所述第二搁板垂直延伸至所述第三搁板的第二状态之间来调整所述第一辐射射束。
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