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龙图腾网恭喜深圳市时代速信科技有限公司申请的专利一种负压产生电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113193859B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110440886.1，技术领域涉及：H03K17/08；该发明授权一种负压产生电路是由金冬;周勇;唐东杰;龚全熙设计研发完成，并于2021-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种负压产生电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种负压产生电路，包括：降压模块、振荡器电路、时钟缓冲器电路以及电荷泵电路；所述振荡器电路与所述时钟缓冲器电路连接；所述时钟缓冲器电路与所述电荷泵电路连接；所述降压模块包括：N个串联的场效应管，且N+1个场效应管源漏耐压值之和高于电源电平；所述降压模块的电源输入端与供电电源连接，所述降压模块的电源输出端分别与所述振荡器电路以及所述时钟缓冲器电路连接。通过实施本发明的实施例能够降低负压产生电路的复杂度。

本发明授权一种负压产生电路在权利要求书中公布了：1.一种负压产生电路，其特征在于，包括：降压模块、振荡器电路、时钟缓冲器电路以及电荷泵电路；所述降压模块包括:M个NMOS管和W个PMOS管；所述振荡器电路与所述时钟缓冲器电路连接；所述时钟缓冲器电路与所述电荷泵电路连接；所述降压模块包括：N个串联的场效应管，且N+1个场效应管源漏耐压值之和高于电源电平；所述降压模块的电源输入端与供电电源连接，所述降压模块的电源输出端分别与所述振荡器电路以及所述时钟缓冲器电路连接；其中,M+W等于N；M个NMOS管的栅极相互连接，且外接高电平信号；W个PMOS管的栅极相互连接，且外接低电平信号；除第一个NMOS管外，每个NMOS管的漏极与前一个NMOS管的源极连接，第一个NMOS管的漏极为所述降压模块的电源输入端，第M个NMOS管的源极与第一个PMOS管的源极连接；除第一个PMOS管外，每个PMOS管的源极与前一个PMOS管的漏极连接，第W个PMOS管的漏极为所述降压模块的电源输出端；或，除第一个PMOS管外，每个PMOS管的源极与前一个PMOS管的漏极连接，第一个PMOS管的源极为所述降压模块的电源输入端，第W个PMOS管的漏极与第一个NMOS管的漏极连接；除第一个NMOS管外，每个NMOS管的漏极与前一个NMOS管的源极连接，第M个NMOS管的源极为所述降压模块的电源输出端。

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