恭喜英飞凌科技股份有限公司D·波沃尔获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利具有在电介质层上的具有带有有源区域的低欧姆部分和高欧姆部分的半导体管芯的电子组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113539983B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110434586.2，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权具有在电介质层上的具有带有有源区域的低欧姆部分和高欧姆部分的半导体管芯的电子组件是由D·波沃尔;T·菲舍尔;U·赛德尔;A·施特尔滕波尔设计研发完成，并于2021-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有在电介质层上的具有带有有源区域的低欧姆部分和高欧姆部分的半导体管芯的电子组件在说明书摘要公布了：公开了具有在电介质层上的具有带有有源区域的低欧姆部分和高欧姆部分的半导体管芯的电子组件。一种电子组件100，包括模制层102和半导体管芯104，半导体管芯104包括低欧姆的第一部分142和高欧姆的第二部分144，其中第一部分142具有有源区域140，并且第二部分144被布置在模制层102上。
本发明授权具有在电介质层上的具有带有有源区域的低欧姆部分和高欧姆部分的半导体管芯的电子组件在权利要求书中公布了：1.一种电子组件，被配置为被包封以形成封装，所述电子组件包括：模制层；以及半导体管芯，其包括低欧姆半导体部分和高欧姆半导体部分，其中低欧姆半导体部分具有有源区域，并且高欧姆半导体部分被布置在模制层上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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