恭喜英飞凌科技股份有限公司H·托伊斯获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利封装的半导体器件和制作封装的半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113496900B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110367208.7，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权封装的半导体器件和制作封装的半导体器件的方法是由H·托伊斯设计研发完成，并于2021-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装的半导体器件和制作封装的半导体器件的方法在说明书摘要公布了：一种用于制作封装的半导体器件的方法包括：提供多个半导体裸片，所述半导体裸片被以阵列的形式布置在载体上，使得所述半导体裸片的第一侧面对载体，并且使得在每个半导体裸片的侧旁布置有空的空间；将包括多个导电元件的衬底布置在所述多个半导体裸片之上，使得导电元件被布置在每个半导体裸片旁边的相应的空的空间中；在所述多个半导体裸片之上模制，以形成模制体；以及通过切穿模制体将封装的半导体器件从模制体单个化分割。
本发明授权封装的半导体器件和制作封装的半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制作封装的半导体器件的方法，所述方法包括：提供多个半导体裸片，所述半导体裸片以阵列的形式布置在载体上，使得所述半导体裸片的第一侧面对载体而所述半导体裸片的相反的第二侧背离载体，并且使得在每个半导体裸片的侧旁布置有空的空间，将包括多个导电元件的衬底布置在所述多个半导体裸片之上和旁边，使得导电元件布置在每个半导体裸片旁边的相应的空的空间中，在所述多个半导体裸片之上模制，以形成模制体，以及通过切穿模制体将封装的半导体器件从模制体单个化分割，其中，每个导电元件从相应的半导体裸片侧旁的第一点延伸到位于相应的半导体裸片的第二侧上方并且在相应的半导体裸片的周缘内的第二点；其中，所述模制体直接在所述半导体裸片的第二侧与所述导电元件之间延伸；其中，所述导电元件仅覆盖所述半导体裸片的第二侧的表面区域的一部分；和其中，所述导电元件在所述模制体的第二侧在第二点处从模制体暴露。
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