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龙图腾网恭喜全宇昕科技股份有限公司申请的专利复合型功率组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084130B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110260111.6，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权复合型功率组件是由徐信佑;陈涌昌设计研发完成，并于2021-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本复合型功率组件在说明书摘要公布了：本申请公开一种复合型功率组件，其包含基材结构、绝缘层、介电层、金氧半场效晶体管、及齐纳二极管。金氧半场效晶体管形成于基材结构的晶体管形成区域中。齐纳二极管形成于基材结构的电路组件形成区域中，且包含形成于基材结构中且被绝缘层覆盖的齐纳二极管掺杂结构。齐纳二极管掺杂结构包含第一P型掺杂区及形成于第一P型掺杂区内侧的第一N型掺杂区。齐纳二极管另包含齐纳二极管金属结构，其形成于介电层上，且依序地贯穿介电层及绝缘层，以电性连接第一P型掺杂区及第一N型掺杂区。借此，本申请的复合型功率组件能通过将不同的电子组件如：齐纳二极管的形成整合在金氧半场效晶体管的结构中，以简化了制程复杂度。

本发明授权复合型功率组件在权利要求书中公布了：1.一种复合型功率组件，其特征在于，所述复合型功率组件包括：一基材结构，包含有一基底层及形成于所述基底层上的一磊晶层；其中，所述磊晶层凹设有至少一沟槽，所述基材结构沿着其长度方向定义有一晶体管形成区域及相邻于所述晶体管形成区域的一电路组件形成区域，并且所述沟槽是位于所述晶体管形成区域中；一绝缘层，延伸地形成于所述磊晶层上及所述沟槽的内壁上；其中，所述绝缘层的位于所述沟槽的所述内壁的部位定义为一沟槽绝缘层，其包围形成有一凹槽，并且所述绝缘层的位于所述磊晶层表面上的部位定义为一披覆绝缘层；一介电层，形成于所述披覆绝缘层上；一金氧半场效晶体管，位于所述晶体管形成区域中，且包含：一闸极填充结构，形成于所述沟槽绝缘层的所述凹槽中；一基体掺杂结构，形成于所述磊晶层中且位于所述沟槽的周围区域，所述基体掺杂结构被所述披覆绝缘层覆盖；所述基体掺杂结构包含有一基体P型掺杂区及形成于所述基体P型掺杂区上的两个基体N型掺杂区；两个所述基体N型掺杂区与所述基体P型掺杂区彼此上下堆栈；所述基体P型掺杂区位于下侧，且与所述磊晶层抵接；两个所述基体N型掺杂区位于上侧、位于所述基体P型掺杂区顶部的两侧，且彼此间隔地形成；并且，两个所述基体N型掺杂区皆被所述披覆绝缘层所覆盖；一源极金属结构，形成于所述介电层上且依序贯穿所述介电层及所述披覆绝缘层，以接触所述基体掺杂结构；所述源极金属结构包含有：一源极金属导电部及与所述源极金属导电部连接的至少一源极金属接触塞，所述源极金属导电部形成于所述介电层上，所述源极金属接触塞依序贯穿所述介电层及所述披覆绝缘层，以电性连接于所述基体掺杂结构；及一汲极金属结构，形成于所述基底层的一底面；其中，所述源极金属接触塞是延伸至两个所述基体N型掺杂区之间的区域，且与两个所述基体N型掺杂区接触、也与所述基体P型掺杂区接触；其中，所述源极金属接触塞延伸至两个所述基体N型掺杂区之间的延伸深度未超过两个所述基体N型掺杂区；以及一齐纳二极管，位于所述电路组件形成区域中，且包含：一齐纳二极管掺杂结构，形成于所述磊晶层中，且被所述披覆绝缘层所覆盖；其中，所述齐纳二极管掺杂结构包含有一第一P型掺杂区及一第一N型掺杂区；及一齐纳二极管金属结构，形成于所述介电层上，且依序贯穿所述介电层及所述披覆绝缘层，以接触所述齐纳二极管掺杂结构的所述第一P型掺杂区及所述第一N型掺杂区，以使得所述齐纳二极管在通电时接受一逆向偏压；其中，所述基体掺杂结构的两个所述基体N型掺杂区及所述齐纳二极管掺杂结构的所述第一N型掺杂区皆是在同一道离子布植程序所完成，且具有大致相同的掺杂深度。

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