恭喜II-VI先进材料有限责任公司伊利亚·茨维巴克获国家专利权
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龙图腾网恭喜II-VI先进材料有限责任公司申请的专利光学级的钒补偿的4H单晶和6H单晶，以及碳化硅晶体和用于生产其的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113337891B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110232966.8，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权光学级的钒补偿的4H单晶和6H单晶，以及碳化硅晶体和用于生产其的方法是由伊利亚·茨维巴克;瓦拉他拉扬·伦加拉扬;安德鲁·N·苏齐兹;加里·E·鲁兰设计研发完成，并于2021-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学级的钒补偿的4H单晶和6H单晶，以及碳化硅晶体和用于生产其的方法在说明书摘要公布了：一种光学装置，包含钒补偿的高电阻率的6H多型或4H多型SiC单晶，所述SiC单晶用于透射波长在420nm至4.5μm范围内的光。所述装置可以包括窗、透镜、棱镜、或波导。一种系统，包括用于产生波长在420nm至4.5μm范围内的光的源和用于接收和透射所述光的装置，其中所述装置包含钒补偿的高电阻率的6H多型或4H多型SiC单晶。本公开内容还涉及用于光学应用的晶体和方法，所述晶体包含铝掺杂的碳化硅晶体，所述铝掺杂的碳化硅晶体具有残留的氮和硼杂质，其中铝浓度大于氮和硼的组合浓度，以及其中在约400nm至约800nm的波长下的光吸收系数小于约0.4cm‑1。
本发明授权光学级的钒补偿的4H单晶和6H单晶，以及碳化硅晶体和用于生产其的方法在权利要求书中公布了：1.一种组合物，包括：钒补偿的高电阻率的6H多型或4H多型碳化硅SiC单晶；其中SiC单晶被配置成用于透射波长在420nm至4.5μm范围内的光，以及其中，所述SiC单晶中铝的浓度大于晶体中硼和氮的总浓度；以及在所述碳化硅SiC单晶中氮的浓度小于或等于1·1016cm-3，所述SiC单晶在400nm至800nm的范围内的波长下的光吸收系数小于0.4cm-1。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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