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龙图腾网恭喜三菱电机株式会社申请的专利半导体试验装置、半导体试验方法以及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115461630B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180030989.9，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权半导体试验装置、半导体试验方法以及半导体装置的制造方法是由中西学;水野高博设计研发完成，并于2021-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体试验装置、半导体试验方法以及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：试验体100具有第1半导体元件1、与第1半导体元件1的正极电连接的第1主电极51、与第1半导体元件1的负极电连接的第2主电极52、以及连接在第1主电极51与第2主电极52之间的第1电容器22。半导体试验装置110具备连接在第1探针41与第2探针42之间的直流电源30、以及控制部31。在第1探针41与第1主电极51连接且第2探针42与第2主电极52连接时，控制部31通过从直流电源30供给的直流电压，对第1电容器22进行充电，并且在对第1电容器22进行了充电之后，向第1半导体元件1的控制电极输入用于使第1半导体元件1导通的控制信号。

本发明授权半导体试验装置、半导体试验方法以及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体试验装置，其用于对具有第1半导体元件的试验体的特性进行试验，其中，所述第1半导体元件具有正极、负极以及控制电极，根据输入到控制电极的第1控制信号而导通或截止，所述试验体还具有：第1主电极，其与所述第1半导体元件的正极电连接；第2主电极，其与所述第1半导体元件的负极电连接；以及第1电容器，其电连接在所述第1主电极与所述第2主电极之间，所述半导体试验装置具备：第1探针和第2探针；直流电源，其电连接在所述第1探针与所述第2探针之间；以及控制部，其用于生成所述第1控制信号，在所述第1探针与所述第1主电极连接且所述第2探针与所述第2主电极连接时，所述控制部通过从所述直流电源供给的直流电压对所述第1电容器进行充电，并且，在对所述第1电容器进行充电后，向所述第1半导体元件的控制电极输入用于使所述第1半导体元件导通的所述第1控制信号，所述半导体试验装置还具备第1开关和第2电容器，该第1开关和该第2电容器串联地电连接在所述第1探针与所述第2探针之间，在所述第1探针与所述第1主电极连接且所述第2探针与所述第2主电极连接时，所述控制部将所述第1开关保持为断开状态并对所述第1电容器进行充电。

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