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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所申请的专利一种GaN-HEMT器件大信号模型的建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112906226B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110205653.3，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种GaN-HEMT器件大信号模型的建模方法是由程奎;罗卫军;张荣华;韦春;夏志颖;闫伟;来龙坤;蒋鑫;陈晓娟设计研发完成，并于2021-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN-HEMT器件大信号模型的建模方法在说明书摘要公布了：本发明所提供的GaN‑HEMT器件大信号模型的建模方法，包括：对GaN‑HEMT器件进行高低温环境下的脉冲电流‑电压测试，获得不同温度下的电流‑电压数据；采用改进后的漏极电流公式搭建GaN‑HEMT器件的漏电模型，改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数；将不同温度下的电流‑电压数据与漏电模型进行拟合，确定漏电模型的参数。由于改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数，因此，可以建立与包含环境温度相关的参数的大信号模型，从而可以获得在高低温环境下准确预测GaN‑HEMT器件性能的大信号模型，进而提高了GaN‑HEMT器件仿真模型的准确性。

本发明授权一种GaN-HEMT器件大信号模型的建模方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN-HEMT器件大信号模型的建模方法，其特征在于，包括：对GaN-HEMT器件进行高低温环境下的脉冲电流-电压测试，获得不同温度下的电流-电压数据；采用改进后的漏极电流公式搭建GaN-HEMT器件的漏电模型，所述大信号模型包括所述漏电模型，所述改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数；将所述不同温度下的电流-电压数据与所述漏电模型进行拟合，确定所述漏电模型的参数；采用改进后的漏极电流公式搭建GaN-HEMT器件的漏电模型包括：将改进后的漏极电流公式写入到安捷伦射频集成电路设计软件中的符号定义器件的第二个端口公式中，以应用安捷伦射频集成电路设计软件中的符号定义器件搭建GaN-HEMT器件的漏电模型；所述符号定义器件包括三个端口，第一个端口为栅压的输入端口，第二个端口为源漏沟道端口，第三个端口为环境温度的输入端口；所述改进后的漏极电流公式为：Ids＝Fg*Fd*Gmd*idss；其中， Vp＝Vp0+Vφ+P*Vds；Wth＝w0+w1*Tj；Gmd＝1+βgmd*Vds-Vdm*1+tanhαgmd*Vgs-Vgm；Tj为与环境温度相关的参数；或，所述改进后的漏极电流公式为：Ids＝Fg*Fd*Gmd*idssth；其中， Vp＝Vp0+Vφ+P*Vds；Gmd＝1+βgmd*Vds-Vdm*1+tanhαgmd*Vgs-Vgm； Tj为与环境温度相关的参数；或，所述改进后的漏极电流公式为：Ids＝Fg*Fd*Gmd*idss；其中， Vp＝Vp0+Vφ+P*Vds；Gmd＝1+βgmd*Vds-Vdm*1+tanhαgmd*Vgs-Vgm；Tj为与环境温度相关的参数；或，所述改进后的漏极电流公式为：Ids＝Fg*Fd*Gmd*idssth；其中， Vp＝Vp0+Vφ+P*Vds；Wth＝w0+w1*Tj；Gmd＝1+βgmd*Vds-Vdm*1+tanhαgmd*Vgs-Vgm； Tj为与环境温度相关的参数。

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